کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034196 | 1518023 | 2015 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature formation of CuIn1 â xGaxSe2 solar cell absorbers by all printed multiple species nanoparticulate Se + Cu-In + Cu-Ga precursors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work an all nanoparticulate precursor for application in Cu(In1 â xGax)Se2 solar cell absorbers is presented. Binary Cu-In nanoparticles, Cu-Ga powder and elemental Se nanoparticles were mixed in dispersion and deposited on Mo-coated substrates. Research was focused on Cu(In1 â xGax)Se2 layer formation kinetics, phase composition characterised by differential scanning calorimetry and in-situ X-ray diffraction (XRD). Furthermore phase composition and morphology were studied by ex-situ XRD, Raman spectroscopy and scanning electron microscopy. The results revealed a fast consumption of the precursor and the formation of CuInSe2 below 340 °C. Binary secondary phases were not observed at any temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 582, 1 May 2015, Pages 60-68
Journal: Thin Solid Films - Volume 582, 1 May 2015, Pages 60-68
نویسندگان
Stefan A. Möckel, Tobias Wernicke, Matthias Arzig, Philipp Köder, Marco Brandl, Rameez Ahmad, Monica Distaso, Wolfgang Peukert, Rainer Hock, Peter J. Wellmann,