کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034197 | 1518023 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of gallium redistribution processes during Cu(In,Ga)Se2 absorber formation from electrodeposited/annealed oxide precursor films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In a second part, precursor films were elaborated with increasing Ga(NO3)3 concentration. After reduction of the films in hydrogen and selenization heat treatments, X-ray diffraction analysis shows the incorporation of Ga into the CIGS phase with increasing Ga content in the optimal composition range for photovoltaic applications (x = 0.25-0.34). Gallium composition profiles are evidenced in the films with a tendency to higher concentration near the Mo surface. Increasing annealing temperature allows a better homogenization of Ga in the film. The consequences are correlated to optoelectronic measurements (Eg and cell efficiency) with bandgap measurement and cell efficiencies (10 to 12%).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 582, 1 May 2015, Pages 69-73
Journal: Thin Solid Films - Volume 582, 1 May 2015, Pages 69-73
نویسندگان
T. Sidali, A. Duchatelet, E. Chassaing, D. Lincot,