کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034344 | 1518023 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of deposition termination on Cu2ZnSnSe4 device characteristics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Co-evaporated Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) is used to examine sensitivities to the device performance that originate from variations in Zn content very near the surface. While integral Zn content of the film is held approximately constant, the surface composition is manipulated via changes to the Zn flux at the end of the deposition. Surface composition, device performance, and open-circuit voltage extrapolated to zero temperature are measured as a function of deposition termination. Origins of the apparent reduction in surface recombination with increasing Zn are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 582, 1 May 2015, Pages 184-187
Journal: Thin Solid Films - Volume 582, 1 May 2015, Pages 184-187
نویسندگان
I.L. Repins, J.V. Li, A. Kanevce, C.L. Perkins, K.X. Steirer, J. Pankow, G. Teeter, D. Kuciauskas, C. Beall, C. Dehart, J. Carapella, B. Bob, J.-S. Park, S.-H. Wei,