Tunneling-based charge percolation transport in a random network of semi-conductive nanoclusters embedded in a dielectric matrix

تونل زنی انتقال الکترون ها در یک شبکه تصادفی از نانوکیلرهای ساخته شده از مواد نیمه رسانا و در ماتریس دی الکتریک جاسازی شده در یک مدل ساده مورد مطالعه قرار گرفته است. علی رغم برخی فرضیه های قوی، این مدل قادر است نتایجی را که قبلا در ادبیات گزارش شده است، تکرار کند، مانند رفتار انتقادی تراکم جاری در قطعات کوچک نانوکیلر. با توجه به سادگی آن (به عنوان مثال کمک به هدایت محلی تنها از نزدیکترین همسایگان)، مدل پیشبینی تغییرات بحرانی در هدایت را دارد که نسبت به رفتار قدرت جهانی قانون مواد کامپوزیت مستقیم تماس می یابد. علاوه بر این، این روش همچنین می تواند تعداد کل الکترونی و توزیع فضایی آنها را که در نمونه در رژیمهای ثابت وجود دارد، محاسبه کند. با استفاده از چنین ویژگی های مدل، تنظیمات دستگاه بهینه می تواند برای کاربردهای اپتوالکترونیک طراحی شود.