کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035081 | 1518045 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mobility- and temperature-dependent device model for amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Mobility- and temperature-dependent device model for amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors Mobility- and temperature-dependent device model for amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors](/preview/png/8035081.png)
چکیده انگلیسی
A device model for amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors (a-IGZO TFTs) that explains temperature dependence is proposed. It incorporates a carrier-density dependent mobility and a density of subgap traps of a-IGZO. The model parameters were extracted from only one transfer curve of an a-IGZO TFT at a low drain voltage through a simple analytical model. Device simulation based on this model reproduced current- and mobility-gate voltage characteristics of the a-IGZO TFT well over a wide range of bias voltage and temperature (253-393Â K).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 559, 30 May 2014, Pages 40-43
Journal: Thin Solid Films - Volume 559, 30 May 2014, Pages 40-43
نویسندگان
Katsumi Abe, Ayumu Sato, Kenji Takahashi, Hideya Kumomi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono,