کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035119 | 1518047 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
N-type doping of BaSi2 epitaxial films by phosphorus ion implantation and thermal annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Phosphorus doping by P implantation and thermal annealing of the BaSi2 epitaxial film grown on the Si(111) substrate has been studied. Raman spectroscopy results show that the structural damage due to P implantation can be almost removed by annealing within 30 and 1 s at 500 and 700 °C, respectively. The depth profile of P is investigated by secondary ion mass spectroscopy, which reveals considerably slower diffusion kinetics of P at 500 °C than 700 °C. The activation energy of the diffusion is roughly estimated to be 2 eV from the temperature dependence. The Hall measurement of the P-doped films clarifies that the P impurity is an electron donor in BaSi2. The average electron density up to the order of 1018 cmâ 3 is observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 90-93
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 90-93
نویسندگان
Kosuke O. Hara, Yusuke Hoshi, Noritaka Usami, Yasuhiro Shiraki, Kotaro Nakamura, Kaoru Toko, Takashi Suemasu,