کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035145 | 1518047 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhanced Au induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated the low temperature of Au induced lateral crystallization of electron irradiated amorphous Ge on SiO2/Si substrate. The reduction of the critical annealing time to cause the Au induced lateral crystallization is realized by high energy electron irradiation. In addition, the lateral crystallization region of the sample with electron irradiation has high crystalline quality as well as the sample without electron irradiation. We have speculated that the Au induced lateral crystallization of amorphous Ge on SiO2/Si substrate was enhanced by electron irradiation, due to the introduction of point defects into amorphous Ge able to diffuse easily of Au atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 151-154
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 151-154
نویسندگان
Shin Sakiyama, Takahiro Kaneko, Takanobu Ootsubo, Takatsugu Sakai, Kazutoshi Nakashima, Kenta Moto, Masashi Yoneoka, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda,