کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8036308 | 1518059 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Barrier height adjustment of Schottky barrier diodes using a double-metal structure
ترجمه فارسی عنوان
تنظیم ارتفاع مانع از دیودهای مانع از شواتکی با استفاده از ساختار دو فلزی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ساختار دو فلزی، سیلیکون، ایمپلنت، دیودهای مانع شاتکی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
The design and fabrication of double-metal (DM) Schottky barrier diodes with various Ti/Au area ratios and a polysilicon (poly-Si) guard ring structure are presented. A method that uses ion implantation in a poly-Si film for guard ring fabrication is used to prevent damaging the silicon surface. Experimental results of the Ti/Au DM structure and the relationship between the effective barrier height and the area ratio are presented and discussed. It was found that the effective barrier height of the Schottky barrier diode can be adjusted by changing the ratio of the DM area, which is not possible with a single-metal structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 545, 31 October 2013, Pages 509-513
Journal: Thin Solid Films - Volume 545, 31 October 2013, Pages 509-513
نویسندگان
Bor Wen Liou,