کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8036422 | 1518061 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of substrate vicinality on 3D islanding in Ge/Si epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Common features of Ge growth on vicinal Si(001) and Si(111) surfaces are discussed. We show that surface vicinality has a twofold effect on three-dimensional islanding in this system. As long as the atomic structure of the singular surface is preserved, epitaxial islands undergo a morphological change which is dictated by the misorientation from the singular surface. When also the surface reconstruction is so affected by miscut that surface and interfacial energies are drastically modified, the islanding pathway diverges from that occurring on flat surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 543, 30 September 2013, Pages 88-93
Journal: Thin Solid Films - Volume 543, 30 September 2013, Pages 88-93
نویسندگان
L. Persichetti, A. Sgarlata, M. Fanfoni, A. Balzarotti,