کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8036462 | 1518062 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of pyrite FeS2 thin films by sulfurizing oxide precursor films deposited via successive ionic layer adsorption and reaction method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Iron pyrite (FeS2) is a naturally abundant and nontoxic semiconductor that can potentially be used in photovoltaic devices. In this report, pure pyrite FeS2 thin films with homogeneous morphology and ideal composition are fabricated by sulfurizing Fe2O3 precursor thin films deposited via successive ionic layer adsorption and reaction method. The formation mechanism of FeS2 is identified by X-ray photoelectron spectroscopy. The optical and electrical (including photoelectrochemical) measurements show that the prepared pyrite FeS2 thin films have high absorption coefficient, suitable band gap, p-type conductivity and good photo-electrical conversion ability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 542, 2 September 2013, Pages 123-128
Journal: Thin Solid Films - Volume 542, 2 September 2013, Pages 123-128
نویسندگان
Kaiwen Sun, Zhenghua Su, Jia Yang, Zili Han, Fangyang Liu, Yanqing Lai, Jie Li, Yexiang Liu,