کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8036515 | 1518067 | 2013 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Semiconducting beta-phase FeSi2 for light emitting diode applications: Recent developments, challenges, and solutions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Semiconducting beta-phase FeSi2 for light emitting diode applications: Recent developments, challenges, and solutions Semiconducting beta-phase FeSi2 for light emitting diode applications: Recent developments, challenges, and solutions](/preview/png/8036515.png)
چکیده انگلیسی
This critical review surveys β-FeSi2 research over the years with focus on reviewing recent development in β-FeSi2-based light emitting diodes (LEDs). Based on theoretical analyses and comparison to experimental results reported in the literature, weak carrier confinement in the β-FeSi2 active layer has been identified as the likely cause for poor room-temperature electroluminescence (EL) performance of p-Si/p-β-FeSi2/n+-Si double hetero-junction LEDs. Solutions to overcome this limit have been proposed together with new research directions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 537, 30 June 2013, Pages 1-22
Journal: Thin Solid Films - Volume 537, 30 June 2013, Pages 1-22
نویسندگان
D.Z. Chi,