کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8036916 | 1518068 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of ferromagnetic semiconductor Ga1Â -Â xMnxAs film on Ge(001) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have grown a high-quality epitaxial Ga1 - xMnxAs (x = 0.06) film on a Ge(001) substrate without a buffer layer by using low-temperature molecular beam epitaxy. The transmission electron microscope image revealed an atomically flat Ga1 - xMnxAs(001)/Ge(001) interface as well as the absence of precipitates such as MnAs. The film exhibited clear hysteresis in the magnetization curves at low temperatures, indicating a ferromagnetic Ga1 - xMnxAs film. The Curie temperature of the Ga1 - xMnxAs/Ge sample was strongly enhanced by post-growth annealing, which was similar to the Ga1 - xMnxAs/GaAs reference sample. Such results will accelerate the integration of III-Mn-V ferromagnetic semiconductors into Ge-based spintronics devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 536, 1 June 2013, Pages 323-326
Journal: Thin Solid Films - Volume 536, 1 June 2013, Pages 323-326
نویسندگان
Aurélie Spiesser, Yuki Sato, Hidekazu Saito, Shinji Yuasa, Koji Ando,