کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037189 | 1518073 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of optical band-gap shift in impurity doped ZnO thin films by using nonparabolic conduction band parameters
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Optical band-gaps of polycrystalline ZnO thin films were analyzed. ⺠Experimental carrier concentration range covered from 1016 to 1021 cmâ 3. ⺠Nonparabolic conduction band parameters were used in theoretical analysis. ⺠The band-filling and the band-gap renormalization effects were considered. ⺠The measured optical band-gap shifts corresponded well with the calculated ones.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 430-435
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 430-435
نویسندگان
Won Mok Kim, Jin Soo Kim, Jeung-hyun Jeong, Jong-Keuk Park, Young-Jun Baik, Tae-Yeon Seong,