کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037212 | 1518073 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tailored amorphous silicon carbide barrier dielectrics by nitrogen and oxygen doping
ترجمه فارسی عنوان
دی الکتریک مانع از کاربید سیلیسیم آمورف با استفاده از دوپینگ نیتروژن و اکسیژن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ساختار رابطه مالکیت، ویژگی های مکانیکی، شکستگی، ثابت انعطاف پذیر، مواد ترکیبی، دی الکتریک حساسیت رطوبت، فیلم های نازک
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
⺠N and O doping were used to enhance the mechanical properties of a-SiC:H films. ⺠N and O doping significantly improved the elastic and fracture properties. ⺠N doping made the films insensitive to moisture-assisted cracking. ⺠Changes in the mechanical properties were related to the molecular structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 552-558
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 552-558
نویسندگان
Yusuke Matsuda, Sean W. King, Reinhold H. Dauskardt,