کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037214 | 1518073 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of pulsed laser annealing on deep level defects in electrochemically-deposited and furnace annealed CuInSe2 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Pulsed laser annealing (PLA) effects studied on CuInSe2 films ⺠PLA improves crystalline order parameter. ⺠PLA induces changes in majority carrier defect levels.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 566-571
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 566-571
نویسندگان
A. Bhatia, H. Meadows, W.M. Hlaing Oo, P.J. Dale, M.A. Scarpulla,