کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8037215 1518073 2013 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical conductivity of tungsten doped vanadium dioxide obtained by the sol-gel technique
ترجمه فارسی عنوان
هدایت الکتریکی دی اکسید وانادید دوگانه تنگستن به دست آمده با روش سل-ژل
کلمات کلیدی
دیاکسید وانادیوم، انتقال فلز مقره، تنگستن دوطرفه، هدایت پلیارون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
► W-doped and undoped VO2 thin films were obtained by a sol-gel method. ► Doping with W affects onto the parameters of metal-insulator transition. ► A characteristic phonon frequency is shown to fall with increasing the W content. ► The results are discussed in terms of the small polaron hopping conduction model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 572-576
نویسندگان
, , , ,