| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 8037215 | 1518073 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Electrical conductivity of tungsten doped vanadium dioxide obtained by the sol-gel technique
												
											ترجمه فارسی عنوان
													هدایت الکتریکی دی اکسید وانادید دوگانه تنگستن به دست آمده با روش سل-ژل 
													
												دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												دیاکسید وانادیوم، انتقال فلز مقره، تنگستن دوطرفه، هدایت پلیارون،
																																							
												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
												
											چکیده انگلیسی
												⺠W-doped and undoped VO2 thin films were obtained by a sol-gel method. ⺠Doping with W affects onto the parameters of metal-insulator transition. ⺠A characteristic phonon frequency is shown to fall with increasing the W content. ⺠The results are discussed in terms of the small polaron hopping conduction model.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 572-576
											Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 572-576
نویسندگان
												A. Pergament, G. Stefanovich, O. Berezina, D. Kirienko, 
											