کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037215 | 1518073 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical conductivity of tungsten doped vanadium dioxide obtained by the sol-gel technique
ترجمه فارسی عنوان
هدایت الکتریکی دی اکسید وانادید دوگانه تنگستن به دست آمده با روش سل-ژل
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
دیاکسید وانادیوم، انتقال فلز مقره، تنگستن دوطرفه، هدایت پلیارون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
⺠W-doped and undoped VO2 thin films were obtained by a sol-gel method. ⺠Doping with W affects onto the parameters of metal-insulator transition. ⺠A characteristic phonon frequency is shown to fall with increasing the W content. ⺠The results are discussed in terms of the small polaron hopping conduction model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 572-576
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 572-576
نویسندگان
A. Pergament, G. Stefanovich, O. Berezina, D. Kirienko,