کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8037256 1518077 2013 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhanced tunability of transparent epitaxial Ba0.5Sr0.5TiO3/Ga2O3/GaN structures fabricated by pulsed laser deposition
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Enhanced tunability of transparent epitaxial Ba0.5Sr0.5TiO3/Ga2O3/GaN structures fabricated by pulsed laser deposition
چکیده انگلیسی
► GaN-based Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) layer for transparent tunable microwave devices ► Ga2O3/GaN structure enables epitaxial growth of BST layer. ► BST/Ga2O3/GaN device shows high tunability and low dielectric loss.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 45-49
نویسندگان
, , , , , , , ,