کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037534 | 1518077 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaN/MgO/ZnO heterojunction light-emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠GaN/ZnO light emitting diodes with and without MgO interlayer were prepared. ⺠MgO interlayer affected the ZnO growth on GaN. ⺠MgO interlayer was needed to observe optically pumped lasing. ⺠MgO interlayer was needed to observe emission under forward bias.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 303-307
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 303-307
نویسندگان
Xinyi Chen, Alan M.C. Ng, Aleksandra B. DjuriÅ¡iÄ, Wai Kin Chan, P.W.K. Fong, H.F. Lui, C. Surya, C.C.W. Cheng, W.M. Kwok,