کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8037534 1518077 2013 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaN/MgO/ZnO heterojunction light-emitting diodes
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
GaN/MgO/ZnO heterojunction light-emitting diodes
چکیده انگلیسی
► GaN/ZnO light emitting diodes with and without MgO interlayer were prepared. ► MgO interlayer affected the ZnO growth on GaN. ► MgO interlayer was needed to observe optically pumped lasing. ► MgO interlayer was needed to observe emission under forward bias.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 303-307
نویسندگان
, , , , , , , , ,