کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037539 | 1518077 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation on mechanism for instability under drain current stress in amorphous Si-In-Zn-O thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We studied instability mechanism under positive bias in Si-In-Zn-O thin-film transistor. ⺠The density of states was constant as the positive bias stress (PBS) time increases. ⺠Thus, defect creation during the PBS is not dominant mechanism for the instability. ⺠The instability under PBS is due to charge trapping by density of states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 314-317
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 314-317
نویسندگان
Do Hyung Kim, Hyun Kwang Jung, Woochul Yang, Dae Hwan Kim, Sang Yeol Lee,