کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148349 | 1524330 | 2018 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physical vapor transport growth of bulk Al1âxScxN single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We describe the preparation of wurtzite Al1âxScxN bulk single crystals by physical vapor transport by introducing scandium to the aluminum nitride (AlN) source material. The Al1âxScxN single crystals obtained exhibit a maximum scandium atomic concentration of about xâ¯=â¯0.55% in axial c-direction while being uniform within the c-plane. The high structural quality as determined by high resolution x-ray diffraction is comparable to that of AlN bulk crystals. However, the incorporated scandium concentration is about 15 times lower than expected from thermodynamic considerations. This behavior is ascribed to a pronounced scandium segregation or agglomeration in the gas phase and parasitic deposition/loss of ScN during growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 500, 15 October 2018, Pages 74-79
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 500, 15 October 2018, Pages 74-79
نویسندگان
Andrea Dittmar, Jürgen Wollweber, Martin Schmidbauer, Detlef Klimm, Carsten Hartmann, Matthias Bickermann,