کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812082 | 1518106 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Large-grain polycrystalline silicon film by sequential lateral solidification on a plastic substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A large-grain polycrystalline silicon film was obtained on a plastic substrate by sequential lateral solidification. With various combinations of sputtering powers and Ar working gas pressures, the conditions for producing dense amorphous silicon (a-Si) and SiO2 films were optimized. The successful crystallization of the a-Si film is attributed to the production of a dense a-Si film that has low argon content and can endure high-intensity laser irradiation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 493, Issues 1â2, 22 December 2005, Pages 192-196
Journal: Thin Solid Films - Volume 493, Issues 1â2, 22 December 2005, Pages 192-196
نویسندگان
Yong-Hae Kim, Choong-Heui Chung, Sun Jin Yun, Jaehyun Moon, Dong-Jin Park, Dae-Won Kim, Jung Wook Lim, Yoon-Ho Song, Jin Ho Lee,