کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812140 | 1518107 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Deposition of SiC films by ion-enhanced plasma chemical vapor deposition using tetramethylsilane + H2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Silicon carbide film deposition on Si surface has been demonstrated by means of an ion-enhanced plasma chemical vapor deposition (CVD) using a tetramethylsilane + H2 gas mixture. The plasma reactor used equips a triode system in which a substrate bias circuit with two diodes is employed to accelerate the deposition through ion bombardment processes. The deposition rate of the SiC film was 0.75 μm/h at the substrate temperature, Tsub, of 750 °C and the bias voltage, Vb, of â 200 V. The Vickers hardness and the refractive index of the film were 3500 Hv and 2.7, respectively. The infrared transmission measurement showed that the film contains plenty of Si-C bonds. The X-ray diffraction pattern suggested that the deposited SiC film is in a state of α-SiC crystal with (100) orientation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 492, Issues 1â2, 1 December 2005, Pages 207-211
Journal: Thin Solid Films - Volume 492, Issues 1â2, 1 December 2005, Pages 207-211
نویسندگان
M. Yoshino, M. Shimozuma, H. Date, H. Itoh, H. Tagashira,