کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812365 | 1518112 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pulsed laser crystallization of very thin silicon films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Pulsed laser crystallization of very thin silicon films Pulsed laser crystallization of very thin silicon films](/preview/png/9812365.png)
چکیده انگلیسی
We report 308-nm-pulsed-XeCl-excimer laser annealing of 2.2-nm-thick silicon films formed on quartz substrates. Crystallization occurred at laser energy of 150â¼170 mJ/cm2. Raman scattering spectra revealed mixed states of small crystalline grains and disordered amorphous regions. Broad optical extinction coefficient was obtained for wavelength from 250 to 400 nm, although it was similar to that of crystalline silicon for wavelength longer than 400 nm. Blue-green photoluminescence was observed for the films annealed at 260 °C for 3 h in 1.3Ã106 Pa H2O vapor after crystallization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 63-66
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 63-66
نویسندگان
T. Sameshima, H. Watakabe, N. Andoh, S. Higashi,