کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812380 | 1518112 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Recombination at silicon dangling bonds
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Recombination at silicon dangling bonds Recombination at silicon dangling bonds](/preview/png/9812380.png)
چکیده انگلیسی
In the past, pulsed electrically detected magnetic resonance experiments (pEDMR) with silicon dangling bonds (db) in hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) showed that at low temperatures, two db recombination mechanisms exist where electrons are captured (i) by dbs directly (db-dc) or (ii) via band-tail states (tail-db). Here, similar experiments on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and crystalline silicon/silicondioxide interfaces (c-Si/SiO2) are presented. They show that at low temperatures, only the db-dc is detectable at dbs in the c-Si/SiO2 interface (Pb centers) while in a-Si:H, only tail-db processes are observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 132-136
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 132-136
نویسندگان
C. Boehme, F. Friedrich, T. Ehara, K. Lips,