کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812423 | 1518113 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase coexistence in the metal-insulator transition of a VO2 thin film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Vanadium dioxide (VO2) shows a metal-insulator transition (MIT) near room temperature, accompanied by an abrupt resistivity change. Since the MIT of VO2 is known to be a first order phase transition, it is valuable to check metallic and insulating phase segregation during the MIT process. We deposited (100)-oriented epitaxial VO2 thin films on R-cut sapphire substrates. From the scanning tunneling spectroscopy (STS) spectra, we could distinguish metallic and insulating regions by probing the band gap. Optical spectroscopic analysis also supported the view that the MIT in VO2 occurs through metal and insulator phase coexistence.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 486, Issues 1â2, 22 August 2005, Pages 46-49
Journal: Thin Solid Films - Volume 486, Issues 1â2, 22 August 2005, Pages 46-49
نویسندگان
Y.J. Chang, C.H. Koo, J.S. Yang, Y.S. Kim, D.H. Kim, J.S. Lee, T.W. Noh, Hyun-Tak Kim, B.G. Chae,