کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812458 | 1518113 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room-temperature cathodoluminescence of n-type ZnO thin films grown by pulsed laser deposition in N2, N2O, and O2 background gas
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Epitaxial ZnO thin films were grown by pulsed laser deposition (PLD) in N2 or N2O or O2 background gas on MgO-buffered a-plane sapphire. The excitonic room-temperature cathodoluminescence (CL) intensity, the carrier concentration and the Hall mobility showed well-defined maxima for films grown at PLD gas pressures of ca. 1 mbar N2, N2O, and O2. However, despite the comparable high CL intensities of the ZnO films grown in the three different background gases, their surface roughness varied considerably. Films with rough surface showed a broadening and splitting of the room-temperature CL peak into maxima at 3.21 and 3.26 eV, which could be due to either grain morphology or spatial variation of the electronic defect structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 486, Issues 1â2, 22 August 2005, Pages 205-209
Journal: Thin Solid Films - Volume 486, Issues 1â2, 22 August 2005, Pages 205-209
نویسندگان
M. Lorenz, H. Hochmuth, J. Lenzner, T. Nobis, G. Zimmermann, M. Diaconu, H. Schmidt, H. von Wenckstern, M. Grundmann,