کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812674 | 1518117 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructural relaxation of hydrogenated amorphous carbon thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Microstructural relaxation of hydrogenated amorphous carbon thin films Microstructural relaxation of hydrogenated amorphous carbon thin films](/preview/png/9812674.png)
چکیده انگلیسی
Capacitive spectroscopy measurements carried out on small and wide gaps as-deposited hydrogenated amorphous carbon thin films evidence a long-time evolution of the capacitive response of the films. The reported phenomenon analyzed within the classical Cohen-Lang model evidences a slow variation with time of the density of states at the Fermi level indicating a likely defect creation within the films. Based on this conclusion, we built up a model describing the influence of the viscous stress field on the electronic properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 482, Issues 1â2, 22 June 2005, Pages 90-93
Journal: Thin Solid Films - Volume 482, Issues 1â2, 22 June 2005, Pages 90-93
نویسندگان
R. Bouzerar, M. Benlahsen, J.C. Picot,