کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812816 | 1518120 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lifetime enhancement of the exciton in a trapezoidal-type InGaN/GaN multi-quantum well structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A trapezoidal InGaN/GaN multi-quantum well structure was grown by metal-organic chemical vapor deposition and the relaxed interface was compared to a conventional square well structure. The time-resolved photoluminescence measurement provides the fast components of the recombination lifetimes of 0.32-0.33 ns with the corresponding oscillator strengths of 2.09-2.15 for both samples. However, the slow component shows the long tail in square quantum wells rather than in trapezoidal quantum wells. This indicates that the later structure is more radiative by forming quantum dots, which is consistent with the microstructure of multi-quantum wells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 478, Issues 1â2, 1 May 2005, Pages 286-292
Journal: Thin Solid Films - Volume 478, Issues 1â2, 1 May 2005, Pages 286-292
نویسندگان
Keunjoo Kim, Jeong Yong Lee, Sae Chae Jeoung,