کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812823 | 1518120 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room-temperature formation of tantalum oxide films by liquid phase deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper demonstrates the growth of tantalum pentoxide (Ta2O5) on a silicon (Si) substrate at room temperature (â¼10 °C) by means of a liquid phase deposition (LPD) method. Good quality and reliability is obtained due to the low temperature process. The deposition rate is up to 136.5 nm/h and the refractive index of the LPD-Ta2O5/Si is about 1.86 after annealing at 400 °C. The LPD-Ta2O5 film produced on the Si substrate is used to fabricate a metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor with a device area of 0.3 cm2, giving a surface charge density of about 1.6Ã1011 cmâ2 and a breakdown voltage of 6.5 MV/cm. Also presented is a proposed mechanism for the LPD deposition of Ta2O5 on Si.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 478, Issues 1â2, 1 May 2005, Pages 332-337
Journal: Thin Solid Films - Volume 478, Issues 1â2, 1 May 2005, Pages 332-337
نویسندگان
C.J. Huang,