کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812927 | 1518122 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
PECVD SiO2 and SiON films dependant on the rf bias power for low-loss silica waveguide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
SiO2 and SiON films were deposited by radiofrequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (rf PECVD) technique using SiH4 and N2O as precursor gases. The refractive index (n) decreases to 1.4480 with the increase of the rf bias power from 0 to 75 W and again increases to 1.4486 at the rf bias power of 100 W. A uniform accumulation of fine grains with the root-mean-square (RMS) surface roughness within the area â¼1.5 nm was detected and the grains pack together very densely. The thickness, refractive index, and surface morphology of the films were characterized by prism coupler, scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 271-274
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 271-274
نویسندگان
Y.T. Kim, D.S. Kim, D.H. Yoon,