کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9813084 | 1518125 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Profiling of deep traps in silicon oxide-nitride-oxide structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Profiling of deep traps in silicon oxide-nitride-oxide structures Profiling of deep traps in silicon oxide-nitride-oxide structures](/preview/png/9813084.png)
چکیده انگلیسی
Thermally stimulated exoelectron emission has been applied for high-resolution depth profiling of traps in amorphous SiO2/Si3N4/SiO2 (ONO) dielectric stacks used in silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory devices. It is shown that maximum density of traps responsible for charge storage in ONO structures is at the interface between top silicon oxide and silicon nitride in ONO.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 471, Issues 1â2, 3 January 2005, Pages 166-169
Journal: Thin Solid Films - Volume 471, Issues 1â2, 3 January 2005, Pages 166-169
نویسندگان
M. Naich, G. Rosenman, Ya. Roizin,