کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9813104 | 1518125 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Indium oxide as a possible tunnel barrier in spintronic devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Indium oxide as a possible tunnel barrier in spintronic devices Indium oxide as a possible tunnel barrier in spintronic devices](/preview/png/9813104.png)
چکیده انگلیسی
We report the growth of ultra-thin indium oxide layers using the dc-magnetron sputtering method. We demonstrate that good quality tunnel barriers made of indium oxide can be routinely fabricated and employed in spintronic-related devices. Simple magnetic tunnel junctions (MTJs) were fabricated in a cross geometry using ex situ thermally evaporated cobalt and permalloy. Our best junctions obey the Rowell criteria for tunneling and exhibit a tunnel magnetoresistance of 15% at 100 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 471, Issues 1â2, 3 January 2005, Pages 293-297
Journal: Thin Solid Films - Volume 471, Issues 1â2, 3 January 2005, Pages 293-297
نویسندگان
J. Androulakis, S. Gardelis, J. Giapintzakis, E. Gagaoudakis, G. Kiriakidis,