کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829662 | 1524496 | 2005 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hexagonal c-axis GaN layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy on Si(0Â 0Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
68.55.Jk81.05.Ea78.55.Cr61.10.Nz81.10.Aj81.15.Gh61.14.Lj - 61.14 لیتر81.65.Ya - 81.65. شماA1. Substrates - A1 بسترهاA1. Characterization - A1 تعیین مشخصاتA1. Crystal structure - A1 ساختار کریستالیA3. Metalorganic vapor phase epitaxy - A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزیB1. Nitrides - B1 نیتریت هاB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-V
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the epitaxial growth of hexagonal c-axis GaN on Si(0 0 1) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE). High-temperature (HT) AlN buffers were used. The use of 4° misoriented Si(0 0 1) substrates allows the growth of GaN layers with a single crystal orientation and low roughness and mosaïcity. Coalescence of the GaN films is obtained for thicknesses of about 1 μm. Crystal quality, strain state, polarity, and optical properties, assessed by transmission electron microscopy, X-ray diffraction and photoluminescence, are discussed and compared with those of GaN layers grown on Si(1 1 1) substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 1â2, 15 June 2005, Pages 44-53
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 1â2, 15 June 2005, Pages 44-53
نویسندگان
Sylvain Joblot, Eric Feltin, Emmanuel Beraudo, Philippe Vennéguès, Mathieu Leroux, Franck Omnès, Marguerite Laügt, Yvon Cordier,