کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830223 | 1524505 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface morphology of AlN and size dispersion of GaN quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The influence of the basic growth parameters (growth temperature, V/III ratio and growth rate) on the surface morphology of AlN grown by molecular beam epitaxy on sapphire (0Â 0Â 0Â 1) substrate is reported. Optimized-growth conditions lead to a significant decrease of the surface roughness. The use of such surfaces as template to grow GaN quantum dots is shown to improve their size dispersion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 3â4, 1 February 2005, Pages 387-393
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 3â4, 1 February 2005, Pages 387-393
نویسندگان
Akihiro Matsuse, Nicolas Grandjean, Benjamin Damilano, Jean Massies,