دانلود مقالات ISI درباره 81.65.rv + ترجمه فارسی

Stability of hydrogen-terminated vicinal Si(1 1 1) surface under ambient atmosphere

Keywords: 81.65.Cf; 81.65.Rv; 68.37.Ps; 68.47.Fg; 79.60.−i; Silicon substrates; Wet-chemical pre-treatment; Etching; Oxidation; X-ray photoelectron spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Influence of thermal treatment on the performance of copper phthalocyanine thin-film transistors

Keywords: 61.10.i; 73.61.Ph; 72.80.Le; 85.30.Tv; 81.15.Pq; 81.65.Rv; 85.30.De; Thin-film transistors; Copper phthalocyanine; Field-effect mobility;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Composition and morphology of fluorinated anodic oxides on InAs (1 1 1)A surface

Keywords: 68.47.Fg; 73.20.−r; 81.65.Rv; 68.55.Ng, 79.60.−i; InAs; Interface; Anodic oxide; Phase composition; Surface states; Passivation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Wet sulfur passivation of GaSb(1 0 0) surface for optoelectronic applications

Keywords: 81.05.Ea; 81.65.Rv; 81.65.Cf; 78.55.Cr; 68.37.Ps; 73.40.Kp; GaSb; Passivation; Annealing; Photoluminescence; AFM; LPE; MBE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low temperature N2-based passivation technique for porous silicon thin films

Keywords: 78.20.Ci; 78.66.Db; 81.40.Tv; 81.65.Rv; 81.05.Cy; 81.05.Rm; A. Semiconductors; A. Thin films; B. Annealing; D. Optical stabilization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Surface characteristics and electrochemical corrosion behavior of fluorinated diamond-like carbon (F-DLC) films on the NiTi alloys

Keywords: 52.77.Dq; 81.05.Uw; 81.65.Rv; 87.64.JeNiTi alloys; Fluorinated diamond-like carbon films; Plasma immersion ion implantation and deposition; Corrosion resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Passivation of GaSb and InAs by pH-activated thioacetamide

Keywords: 81.05.Ea; 81.65.Rv; 81.65.Mq; 79.60.Dp; 82.80.Pv; X-ray photoelectron spectroscopy; Gallium antimonide; Indium arsenide; Thioacetamide; Passivation; Oxidation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Stable aluminium ohmic contact to surface modified porous silicon

Keywords: 81.65.Rv; 84.37.+q; 73.40.Cg; 73.20.−r; 72.80.Ey; 61.46.HkPorous silicon; Surface modification; Palladium metal; Ohmic contact; Stability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Accelerated testing of HT-9 with zirconia coatings containing gallium using Raman Spectroscopy and XPS

Keywords: 81.05.Bx; 81.40.Ef; 81.65.Kn; 81.65.Mq; 81.65.Rv; 82.80.Gk; 82.80.Pv

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

High performance corrosion resistant polyaniline/alkyd ecofriendly coatings

Keywords: 62.23.Pq; 72.80.-r; 81.65.Rv; 82.45.Yz; 81.70.Bt; Polyaniline; Alkyd; Composite; Corrosion; Morphology; Sustainable resource;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Oxidation resistance of thin boron carbo-nitride films on Ge(100) and Ge nanowires

Keywords: 68.55.-a; 77.55.+f; 79.60.-i; 81.15.Gh; 81.65.Rv; 81.70.Jb; 68.37.Lp; 63.22.Gh; 68.35.bgBoron carbo-nitride; Chemical vapor deposition; X-ray photoelectron spectroscopy; Germanium; Passivation; Oxidation resistance; Nanowire; Transmission electron microsc

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Stable organic thin-film transistor in a pixel for plastic electronics

Keywords: 72.80.Le; 81.65.Rv; 81.05.LgOrganic; TFT; Stability; Backplane

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A study of interface characteristics in HfAlO/p-Si by deep level transient spectroscopy

Keywords: 73.20.At; 73.20.Hb; 73.40.Qv; 73.50.Gr; 81.65.Rv; Silicon; MOS capacitors; Deep level transient spectroscopy; Interface traps; Passivation; Annealing; Hafniun oxide; Aluminum;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Passivation of GaAs surface by atomic-layer-deposited titanium nitride

Keywords: 81.15.Gh; 78.55.Cr; 78.55.-m; 81.65.Rv; 78.55.Qr; Atomic layer deposition; Gallium arsenide; Photoluminescence; Surface passivation; Titanium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural properties of GaAs surfaces nitrided in hydrazine-sulfide solutions

Keywords: 68.55.Jk; 81.65.Rv; 82.45.Mp; 82.80.Pv; Gallium arsenide; Chemical nitridation; Nitride monolayer; Surface morphology; Scanning tunneling microscopy; Auger electron spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Passivation at semiconductor/electrolyte interface: Role of adsorbate solvation and reactivity in surface atomic and electronic structure modification of III-V semiconductor

Keywords: 68.43.Fg; 73.40.Mr; 81.65.Rv; 82.20.Yn; 82.80.Pv; GaAs; Surface passivation; Reactivity; Solvated anions; Solvent effect; DFT; XPS; Raman scattering;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Passivation of structured p-type silicon interfaces: Effect of surface morphology and wet-chemical pre-treatment

Keywords: 73.20.Hb; 81.65.Cf; 81.65.Rv; 78.55.−m; 68.37.Ps; 68.37.−d; 84.60.Jt; 84.37.+q; 89.30.Cc 73.40.Lq 73.40.−c; Silicon substrates; Wet-chemical pre-treatment; Interface state density; Recombination loss; a-Si:H/c-Si hetero-junction solar cells; Electri

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Wet-chemical passivation of atomically flat and structured silicon substrates for solar cell application

Keywords: 73.20.Hb; 81.65.Cf; 81.65.Rv; 78.55.−m; 68.37.Ps; 68.37.−d; 84.60.Jt; 84.37.+q; 89.30.Cc; 73.40.Lq; 73.40.−c; Silicon substrates; Interface state density; Recombination loss; Wet-chemical pre-treatment; a-Si:H/c-Si hetero-junction solar cells; Elect

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Interface models and processing technologies for surface passivation and interface control in III-V semiconductor nanoelectronics

Keywords: 81.05.Ea ;81.65.Rv ;73.20.At; 74.40.Qv; Compound semiconductors; Surface passivation; Band alignment; Fermi level pinning; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As-P exchange

Keywords: 68.65.Fg; 81.65.Rv; 78.67.De; 81.07.St; 81.15.Gh; Surface passivation; Quantum wells; MOVPE; GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of working pressure on the structure and the electrochemical corrosion behavior of diamond-like carbon (DLC) coatings on the NiTi alloys

Keywords: 52.77.Dq; 81.05.Uw; 81.65.Rv; 87.64.JeNiTi alloys; Diamond-like carbon; Plasma immersion ion implantation and deposition; Corrosion resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of hydrogen plasma annealing on the luminescence from a-Si:H/SiO2 and nc-Si/SiO2 multilayers

Keywords: 81.65.Rv; 81.15.Gh; 78.67.Pt; Nanostructures; Optical properties; Plasma annealing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and surface passivation of near-surface InGaAs quantum wells on GaAs (1 1 0)

Keywords: 81.65.Rv; 68.55.Jk; 68.65.Fg; 81.07.St; 81.15.GhA1. Surface passivation; A3. Near-surface quantum well; A3. MOVPE; B2. GaAs (1 1 0)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Structural characterization and properties of lanthanum film as chromate replacement for tinplate

Keywords: 81.65.Rv; 81.65.Kn; 82.45.Bb; 81.15.Pq; Tinplate; La-passivation; Sulfide-stain resistance; Corrosion behavior; Structural characterization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface modification of NiTi alloys using diamond-like carbon (DLC) fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition (PIIID)

Keywords: 52.77.Dq; 81.05.Uw; 81.65.Rv; 87.64.JeNiTi alloys; Diamond-like carbon (DLC); Plasma immersion ion implantation and deposition (PIIID); Raman spectroscopy; Corrosion resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Grooving of grain boundaries in multicrystalline silicon: Effect on solar cell performance

Keywords: 84.60.Jt; 81.65.Cf; 61.72.Mm; 81.65.Rv; 61.72.YxMulticrystalline silicon; Chemical etching; Grain boundaries; Passivation; Gettering

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

XPS analysis of surface chemistry of near surface region of epiready GaAs(1 0 0) surface treated with (NH4)2Sx solution

Keywords: 73.61.Ey; 81.65.Rv; GaAs; Passivation; Sulfidation; XPS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Combination of gettering and etching in multicrystalline silicon used in solar cells processing

Keywords: 84.60.Jt; 81.65.Cf; 61.72.Mm; 81.65.Rv; 61.72.Yx; Multicrystalline silicon; Gettering; Etching; Passivation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Passivation of InP-based HBTs

Keywords: 73.20.At; 73.40.Kp; 73.50.Gr; 73.61.Ey; 81.65.Rv; 85.30.Pq; InP; Heterostructure bipolar transistor; Passivation; Sulfur; Silicon nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Structure and composition of chemically prepared and vacuum annealed InSb(0 0 1) surfaces

Keywords: 73.61.Ey; 81.65.Rv; 81.65; 81.65.C; 68.35.Bs; InSb; HCl-isopropanol treatment; Passivation; Low energy electron diffraction; X-ray photoelectron spectroscopy; Electron energy-loss spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Rare-earth gate oxides for GaAs MOSFET application

Keywords: GaAs; MOS; Gd2O3; (GdxLa1−x)2O3; Gd-silicate; S-passivation; Epitaxial growth; Amorphous; Band gap; Band offset; 81.05.Ea; 85.30.Tv; 81.65.Rv; 61.43.Dq;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Silicon surface passivation by static charge

Keywords: 81.65.Rv; 73.30+y; 73.25.+i; Passivation; Surface voltage; Vibrating capacitor; SPV; Charge PCD; Native oxide; Silicon surface; Tunnel current; Surface charge;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Structural and electrical analysis of S+ ion bombarded p-InP(1 0 0)

Keywords: 41.75.AK; 61.72.Vv; 81.65.Rv; 79.60.-I; InP; Ion beam bombardment; Sulfur passivation; XPS; LEED;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The electrochemistry of zirconium in aqueous solutions at elevated temperatures and pressures

Keywords: N0100; R0200; R0300; S0500; S140082.45.Bb; 84.37.+q; 81.65.Rv; 82.45.Cc

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Hydrogen and helium interactions in Si: phenomena obscure and not-so-obscure

Keywords: 61.72.Ji; 61.72.Tt; 81.65.Rv; 71.55.Cn; 81.65.Cf; Hydrogen in Si; Helium implantation; Defect engineering; Hydrogen-defect interactions; Dopant activation; Nanocavities;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Role of Pb for Ag growth on H-passivated Si(1 0 0) surfaces

Keywords: 78.67.Bf; 82.70.Uv; 82.80.Yc; 81.65.Rv; Ag nanoislands on Si; Surfactant effect in island size reduction; Transmission electron microscopy (TEM); Rutherford backscattering spectrometry (RBS); Hydrogen passivation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Passivation of TiO2 by ultra-thin Al-oxide

Keywords: 81.65.Rv; 73.50.Pz; 81.05.Je; Passivation; Photovoltage; Titania; Al-oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Real-time radiology in the microscale

Keywords: 61.10.Ht; 61.10.Kw; 68.35.−p; 81.65.Rv; Phase contrast imaging; Radiology; Broadband synchrotron light;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه