دانلود مقالات ISI درباره A1 شبیه سازی رایانهای + ترجمه فارسی

The influence of crucible and crystal rotation on the sapphire single crystal growth interface shape in a resistance heated Czochralski system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Sapphire;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

System design and hot zone optimization of monocrystalline silicon directional solidification furnace for PV application

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Flow pattern; A1. Interfaces; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

3D numerical investigation and improvement to the design of the thermal field before seeding in a multi-die edge-defined film-fed growth system for sapphire ribbon crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Edge defined film fed growth; A2. Growth from melt; B1. Sapphire;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Thermal and stress distributions in larger sapphire crystals during the cooling process in a Kyropoulos furnace

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Stresses; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Single crystal growth; A2. Kyropoulos method; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Numerical simulation of InGaSb crystal growth by temperature gradient method under normal- and micro-gravity fields

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Growth from melt; A2. Microgravity conditions; B1. Alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Combined 3D and 2.5D modeling of the floating zone process with Comsol Multiphysics

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Floating zone technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Structure modeling and growing AgClхBr1−х, Ag1−xTlxBr1−xIx, and Ag1−xTlxClyIzBr1−y−z crystals for infrared fiber optics

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Doping; A1. Solid solutions; A2. Bridgman technique;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Numerical simulations of SiGe crystal growth by the traveling liquidus-zone method in a microgravity environment

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Diffusion; A2. Microgravity conditions; A2. Traveling solvent zone growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Dendritic microstructure formation in a directionally solidified Al–11.6Cu–0.85Mg alloy

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Dendrites; A1. Directional solidification; A1. Solid solutions; A1. Computer simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Modeling of axial vibrational control technique for CdTe VGF crystal growth under controlled cadmium partial pressure

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A1. Computer simulation; A2. Gradient freeze technique;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular orientation transformation of pentacene on amorphous SiO2: A computational study on the initial growth stage of physical vapor deposition

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; B3. Field effect transistors; B1. Organic compounds (pentacene); A3. Physical vapor deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Enhanced VGF-GaAs growth using pulsed unidirectional TMF

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Solidification; A2. Single crystal growth; A2. Gradient freeze technique;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Large eddy simulation of industrial Czochralski Si crystal growth under transverse magnetic field

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; B2. Semiconducting silicon; A2. Magnetic field assisted Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Thin interface analysis of a phase-field model for epitaxial growth with nucleation and Ehrlich–Schwoebel effects

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Nucleation; A1. Growth models; A1. Interfaces; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Ge cages at the SiC/graphene interface: A first principles calculation

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Surface structure; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

General aspects of the vapor growth of semiconductor crystals – A study based on DFT simulations of the NH3/NH2 covered GaN(0001) surface in hydrogen ambient

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Numerical modeling of CdTe crystallization from Te solution under terrestrial and microgravity conditions

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Traveling solvent zone growth; A2. Microgravity conditions; B1. Cadmium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

DFT study of ammonia desorption from the GaN(0001) surface covered with a NH3/NH2 mixture

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Modeling and simulation of a novel susceptor composed of two materials in MOVPE reactor

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Radiation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Solution growth behavior of SiC by a temperature difference method using Fe-Si solvent

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Crystal morphology; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A2. Growth from solution; A2. Traveling solvent zone growth; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Temperature-dependent orientation study of the initial growth of pentacene on amorphous SiO2 by molecular dynamics simulations

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Organic compounds (pentacene); B3. Field effect transistors; (Substrate temperature);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to elemental growth process on the InAs wetting layer grown on GaAs substrate

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Adsorption behavior; A1. Computer simulation; A1. Surface structures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. InAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to initial incorporation of Bi on |GaAs(001)-c(4×4)α surface

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Phase diagrams; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Comparative numerical study of the effects of rotating and traveling magnetic fields on the carbon transport in the solution growth of SiC crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Magnetic fields; A1. Mass transfer; A2. Growth from high temperature solutions; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to elemental nitridation process of α-Al2O3

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Nanostructures; A1. Substrates; A1. Surface structure; B1. Nitrides; B1. Sapphire;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Unexpected selection of growing dendrites by very-large-scale phase-field simulation

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Dendrites; A1. Directional solidification; A1. Computer simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Calculation of solid–liquid interfacial free energy of Cu by two different methods

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Nucleation; B1. Metals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Relationship between oxygen impurity distribution in multicrystalline solar cell silicon and the use of top and side heaters during manufacture

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Computer simulation; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Micro-characterization and three dimensional modeling of very large waveguide arrays by selective area growth for photonic integrated circuits

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

3D modelling of stresses and deformations during crystallisation of silicon accounting for ingot-crucible interactions

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Air gap; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Stresses; B2. Silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Molecular interaction of solvent with crystal surfaces in the crystallization of ammonium sulfate

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A2. Growth from solutions; B1. Salts

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to incorporation of N atoms on GaAs(001) surfaces

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Modeling insights on the melt growth of cadmium zinc telluride

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Analysis of W-shape melt/crystal interface formation in Czochralski silicon crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Stresses; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Calculation of crystal-melt interfacial free energies of fcc metals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A1. Growth from melt; B1. Metals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Inclusion behavior of Cs, Sr, and Ba impurities in LiCl crystal formed by layer-melt crystallization: Combined first-principles calculation and experimental study

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Purification; A2. Growth from melt; B1. Salts;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Change in the branch period of the step pattern formed by a moving linear source-initial coarsening and effect of an abrupt change in the velocity

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Morphological instability; A1. Surface processes; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Accelerated VGF-crystal growth of GaAs under traveling magnetic fields

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Single crystal growth; A1. Solidification; A1. VGF method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of diameter fluctuations on thermal stresses during Czochralski silicon growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Stresses; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Numerical and experimental study of vacuum directional solidification purification process for SoG-Si in metallurgical route

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Directional solidification; A1. Heat transfer; A2. Growth from melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Atomic scale modeling of vicinal surface growth from melts using the phase-field crystal method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A1. Surfaces

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Simulation of heat transfer and convection during sapphire crystal growth in a modified heat exchanger method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A2. Growth from melt; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

To investigate interface shape and thermal stress during sapphire single crystal growth by the Cz method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Interface; A1. Stresses; A2. Czochralski method; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Crystal shape 2D modeling for transient CZ silicon crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Phase boundaries; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Numerical investigation of the influence of cooling flux on the generation of dislocations in cylindrical mono-like silicon growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Novel method for melt flow control in unidirectional solidification of multi-crystalline silicon

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A2. Ingot casting method; B2. Multicrystalline silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Comparison of stirring efficiency of various non-steady magnetic fields during unidirectional solidification of large silicon melts

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Solidification; B2. Photovoltaic silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Combined global 2D–local 3D modeling of the industrial Czochralski silicon crystal growth process

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Fluid flow; A1. Mass transfer; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Point defects in Cd(Zn)Te and TlBr: Theory

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Diffusion; A1. Doping; A1. Point defects; B1. Halides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Development and validation of an equilibrium model for struvite formation with calcium co-precipitation

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Solubility; Calcium; Phosphate; Struvite

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه