دانلود مقالات ISI درباره A1 شبیه سازی رایانهای + ترجمه فارسی

Solution growth of SiC from silicon melts: Influence of the alternative magnetic field on fluid dynamics

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Top seeded solution growth; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Silica versus silicon nitride crucible: Influence of thermophysical properties on the solidification of multi-crystalline silicon by Bridgman technique

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Heat transfer; A2. Bridgman technique; B3. Solar cell;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical investigations of stress in dendrites caused by gravity

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Dendrites; A1. Solidification; A1. Stresses

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical study of the influence of different types of magnetic fields on the interface shape in directional solidification of multi-crystalline silicon ingots

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A2. Ingot casting method; B2. Multi-crystalline silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermal system design and optimization of an industrial silicon directional solidification system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Interfaces; A1. Fluid flows; A1. Computer simulation; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical study on improved mixing in silicon melts by double-frequency TMF

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Solidification; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical studies of flow patterns during Czochralski growth of square-shaped Si crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A2. Magnetic field assisted Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Stability of hydrogen on nonpolar and semipolar nitride surfaces: Role of surface orientation

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Morphological instability of heteroepitaxial growth on vicinal substrates: A phase-field crystal study

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Morphological stability; A1. Stress; A1. Substrates; A3. Liquid-phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical analysis of two-dimensional model of the traveling liquidus-zone method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of nitride MOVPE at high pressure and high growth rates in large production reactors by a combined modelling and experimental approach

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Gas phase kinetics; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical study of the influence of melt convection on the crucible dissolution rate in a silicon directional solidification process

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A2. Ingot casting method; B2. Multicrystalline silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

3D epitaxial growth through holes for the fabrication of thin-film solar cells

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A3. Chemical vapour deposition process; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

3D unsteady computer modeling of industrial scale Ky and Cz sapphire crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Radiation; A2. Kyropoulos method; A2. Czochralski method; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Monte Carlo simulation of growth of hard-sphere crystals on a square pattern

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Planar defect; A1. Alder transition (Kirkwood-Alder-Wainwright transition); A3. Colloidal epitaxy; B1. Polymer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical simulation of oxygen transport during the CZ silicon crystal growth process

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Impurities; A1. Mass transfer; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of argon flow on heat transfer in a directional solidification process for silicon solar cells

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Gas flow; A1. Heat transfer; A1. Directional solidification; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermo-mechanical analysis of the ingot-crucible contact during multi-crystalline silicon ingot casting

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Computer simulation; A1. Stresses; A1. Air gap; B2. Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

3D numerical analysis of the influence of material property of a crucible on stress and dislocation in multicrystalline silicon for solar cells

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Solidification; A1. Stresses; A1. Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of the furnace pressure on oxygen and silicon oxide distributions during the growth of multicrystalline silicon ingots by the directional solidification process

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Impurities; A1. Mass transfer; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermal optimization of CZ bulk growth and wafer annealing for crystalline dislocation-free silicon

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Defects; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical simulation of heat and fluid flows for sapphire single crystal growth by the Kyropoulos method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Convection; A2. Single crystal growth; B1. Sapphire;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Grinding-induced homochirality in crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Stirring; A2. Growth from solutions; B1. Inorganic compounds; B1. Organic compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

GPU-accelerated phase-field simulation of dendritic solidification in a binary alloy

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Dendrites; A1. Solidification; B1. Alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Computer simulation of metastable zone width for unseeded potassium sulfate aqueous solution

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Metastable zone width; A1. Primary nucleation; A1. Secondary nucleation; A1. Computer simulation; A2. Industrial crystallization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular simulation predictions of miscibility characteristics and critical exponents in compound semiconductors

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Phase diagrams; A1. Solid solutions; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Peculiarities of crystallization at high undercooling: Analysis of the simulation data for aluminum

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A1. Surfaces; B1. Metals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of crucible geometry on melt convection and interface shape during Kyropoulos growth of sapphire single crystal

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Radiation; A2. Single crystal growth; A2. Kyropoulos method; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Three-dimensional phase-field crystal modeling of fcc and bcc dendritic crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Solidification; A1. Morphological stability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

3D numerical simulation for single crystal growth of potassium dihydrogen phosphate in a new solution growth system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1 Growth models; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of rotating magnetic fields on thermocapillary flow in a floating half-zone

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Rotating magnetic fields; A1. Thermocapillary flow; A2. Floating zone technique; A2. Microgravity conditions; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of inclusion on nucleation of silicon casting for photovoltaic (PV) application

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Crystal structure; A2. Casting process; B2. Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of argon flow on impurities transport in a directional solidification furnace for silicon solar cells

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Gas flow; A1. Impurities; A1. Directional solidification; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical investigation of pulsed chemical vapor deposition of aluminum nitride to reduce particle formation

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth Models; A3. Metalorganic Chemical Vapor Deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting Aluminum Compounds; B2. Semiconducting III-V Materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Model experiments and numerical simulations for directional solidification of multicrystalline silicon in a traveling magnetic field

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Stirring; A2. Bridgman technique

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Anomalous segregation during electrodynamic gradient freeze growth of cadmium zinc telluride

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Estimation of the growth kinetics for the cooling crystallisation of paracetamol and ethanol solutions

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth; A1. Kinetics; A1. Seeded batch; A1. Crystallisation; B1. Paracetamol

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Predicting crystal structure and habit of organic micro-crystals by experimentally assisted molecular modelling (EAMM). The case of n-octylamino-NBD

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Analysis of limits for sapphire growth in a micro-pulling-down system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; B1. Oxide; B2. Scintillator materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Evaluation of the stress distribution in a cellular microstructure using a phase field model

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Growth models; A1. Phase field model; A1. Stresses;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Understanding the cubic AlN growth plane from first principles

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Growth models; A1. Surface structure; A1. Computer simulation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Numerical study on transport phenomena in a directional solidification process in the presence of travelling magnetic fields

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Solidification; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

On the pressure difference ranges which assure a specified gap size for semiconductor crystals grown in terrestrial dewetted Bridgman

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Growth from the melt; A2. Single crystal growth; B1. Antimonides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Development of a multiscale model for an atomic layer deposition process

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Surface structure; A3. Atomic layer epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Shorter wavelength emission with InAs quantum dots growth directly on large bandgap quaternary (In0.68Ga0.32As0.7P0.3) barriers for high current injection efficiency

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Atomic force microscopy; A1. Computer simulation; A1. Diffusion; A1. Nanostructures; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Molecular dynamics simulations of the crystal–melt interface mobility in HCP Mg and BCC Fe

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Solidification; A1. Computer simulation; A1. Solid–liquid interface; A2. Growth from melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Global simulation of coupled carbon and oxygen transport in a Czochralski furnace for silicon crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A1. Fluid flows; A2. Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The behavior of powder sublimation in the long-term PVT growth of SiC crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth model; A1. Heat transfer; A2. Single crystal growth; B1. Growth from vapor; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Crystal growth of high-purity multicrystalline silicon using a unidirectional solidification furnace for solar cells

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Computer simulation; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه