دانلود مقالات ISI درباره A1 شبیه سازی رایانهای + ترجمه فارسی

Formation of parallel (1 1 1) twin boundaries in silicon growth from the melt explained by molecular dynamics simulations

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Twin formation; A1. Computer simulation; A2. Growth from melt; B1. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Silicon EFG process development by multiscale modeling

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Potential of mean force calculation of the free energy of adsorption of Type I winter flounder antifreeze protein on ice

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Adsorption; A1. Biocrystallization; A1. Computer simulation; B1. Biological macromolecules

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Surface morphology evolution during sputter deposition of thin films – lattice Monte Carlo simulations

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Diffusion; A1. Nucleation; A1. Roughening; A1. Surface structure; A3. Physical vapor deposition process

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Model based, pulling rate, thermal and capillary conditions setting for silicon tube growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Growth from melt; A2. Edge defined film fed growth; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Gedanken experiment on point defects in unidirectional solidified single crystalline silicon with no dislocations

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.60.Cb; 61.50.Ah; 81.10.−h; 81.40.Jj; A1. Computer simulation; A1. Point defects; A1. Solidification; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Simulation of metastable zone width and induction time for a seeded aqueous solution of potassium sulfate

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Induction time; A1. Metastable zone width; A1. Nucleation; A2. Industrial crystallization; A2. Seed crystals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Numerical simulation of a new SiC growth system by the dual-directional sublimation method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Substrates; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Three-dimensional global analysis of thermal stress and dislocations in a silicon ingot during a unidirectional solidification process with a square crucible

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Solidification; A1. Stresses; A1. Defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Numerical study of induction heating in melt growth systems—Frequency selection

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Characterization; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B1. Metals; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Analysis of SiC crystal sublimation growth by fully coupled compressible multi-phase flow simulation

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Substrate; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Is it important to account for heat transport and interfacial attachment kinetics when calculating the shape of directionally solidified drops?

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method; A2. Edge defined film fed growth; A2. Floating zone technique; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Solute trapping and the effects of anti-trapping currents on phase-field models of coupled thermo-solutal solidification

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Dendrites; A2. Growth from melt; B1. Alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Atomic modelling of crystal/complex fluid/crystal contacts—Part I. The genetic iterative multi-species (GIMS) approach and case of kaolinite/brine/kaolinite

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; B1. Mineral

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Atomic modelling of crystal/complex fluid/crystal contacts—Part II. Simulating AFM tests via the GenMol code for investigating the impact of CO2 storage on kaolinite/brine/kaolinite adhesion

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; B1. Mineral

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Coupled heat transfer and fluid dynamics modeling of high-temperature SiC solution growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A2. Growth from high-temperature solutions; A2. Top-seeded solution growth; B2. Semiconducting materials41.20.Gz; 47.11.Fg; 81.05.Hd; 81.10.Dn

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Transition from nucleation to ripening in the classical nucleation model

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Nucleation; A2. Growth from solutions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The carbon distribution in multicrystalline silicon ingots grown using the directional solidification process

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Impurities; A1. Mass transfer; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Efficient solution of a batch crystallization model with fines dissolution

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Nucleation; A2. Growth from the solutions; A2. Seed crystals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Computational analysis of three-dimensional flow and mass transfer in a non-standard configuration for growth of a KDP crystal

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A1. Morphological stability; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Applicability of LES turbulence modeling for CZ silicon crystal growth systems with traveling magnetic field

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A2. Magnetic field assisted Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Misoriented domain formation in 6H-SiC single crystal

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 44.10.+i; 61.72.-y; 81.10.Aj; 81.10.Bk; A1. Computer simulation; A1. Defects; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Computer modeling of diamond single crystal growth by the temperature gradient method in carbon-solvent system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 47.32.C−; 47.10.ad; 81.10.Dn; A1. Computer simulation; A1. Mass transfer; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of crucible rotation on oxygen concentration in the polycrystalline silicon grown by the unidirectional solidification method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 07.05.Tp; 61.72.sd; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Impurities; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Numerical simulation of natural convection heat transfer in a ZnO single-crystal growth hydrothermal autoclave-Effects of fluid properties

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 44.25.+f; 65.20.−w; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A2. Hydrothermal crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Impurity effects on nucleation of supercooled Lennard-Jones melt: A molecular dynamics study

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 18.10.Fq; 31.15.Qg; 71.55.Ak; 81.10.Aj; 64.60.Qe; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Nucleation; A1. Solidification;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Pressure difference across the free surface of a stable static meniscus in a possible Ge1−XSiX ribbon growth by edge-defined film-fed growth (E.F.G.) technique

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 07.05.Tp; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Stepanov method; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Monte Carlo simulation of a cluster model for the chirality conversion of crystals with grinding

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Stirring; A2. Growth from solutions81.10.Aj; 81.10.Dn; 82.20.−w

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Heat transfer and convection in Czochralski growth of large BGO Crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 47.27.Te; 47.27.Eq; 81.10.Aj; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A1. Mass transport; A1. Heat transport; A2. Czochralski method; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of coil geometry on the induction heating process in crystal growth systems

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Induction heating; A2. Czochralski method02.60.Cb; 02.70.Dh; 41.20.−q; 81.10.Fq

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Theoretical and experimental molecular beam angular distribution studies for gas injection in ultra-high vacuum

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.15.Hi; 83.10.RsA1. Rarefied gas dynamics; A1. Gas injection; A1. Computer simulation; A1. Angular distribution modeling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Modeling studies of an impinging jet reactor design for hybrid physical-chemical vapor deposition of superconducting MgB2 films

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 74.70.Ad; 74.78.−w; 81.15.Gh; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Borates; B2. Superconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of crucible geometry and position on the induction heating process in crystal growth systems

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Induction heating; A2. Czochralski method; B1. Oxides02.60.Cb; 02.70.Dh; 41.20.−q; 81.10.Fq

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Numerical study and experimental investigation of zone refining in ultra-high purification of gallium and its use in the growth of GaAs epitaxial layers

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.05.Bx; 81.05.Ea; 81.10.Fq; 81.15.Lm; 81.20.Ym; 82.20.WtA1. Purification; A1. Computer simulation; A2. Zone refining; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Gallium; B2. Gallium arsenide.

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

On crucible effects during the growth of cadmium zinc telluride in an electrodynamic gradient freeze furnace

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B1. Cadmium compounds07.05.Tp; 81.05.Dz; 81.10.Aj; 81.10.−h; 81.10.Fq

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Birefringence simulation of annealed ingot of magnesium fluoride single crystal

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.70.−c; 07.05.Tp; 42.25.Lc; 42.82.Cr; 78.20.Fm; A1. Computer simulation; A1. Stresses; A2. Growth from melt; A2. Magnesium fluoride; A2. Lithography;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

On favorable thermal fields for detached Bridgman growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; 07.05.Tp; 81.10.−h; 81.10.Fq;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of the nucleation and growth of TiO2 and ZnO thin films by means of molecular dynamics simulations

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 68.55.A−; 31.15.xv; 81.15.Aa; A1. Computer simulation; A1. Nucleation; A1 Growth models; B1. Titanium compounds (TiO2); B1. Zinc compounds (ZnO);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth conditions and surface morphology of AlN MOVPE

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.20.WtA1. AlN nanoparticles; A1. Computer simulation; A1. Surface morphology; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. AlN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Phase equillibria and solidification behaviour in the vanillin–p-anisidine system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.75.−g; 68.55.A−; 83.30.Bx; 81.30.FbA1. Phase equillibria; A1. Eutectics; A1. Nucleation; A1. Solidification; A1. Computer simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOVPE growth of antimonide-containing alloy materials for long wavelength applications

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 07.60.Pb; 81.10.Bk; 82.33.TaA1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Growth models; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of graphitization of the crucible on silicon carbide crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 44.10.+i; 44.40.+a; 81.10.Aj; 81.10.Bk; A1. Computer simulation; A1. Growth model; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Oscillations of the longitudinal solutal profile in Bridgman growth of doped crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.10.Fq; 64.70.Dv; 07.05.Tp; A1. Computer simulation; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Comparison between analytical and numeric determination of the interface curvature during dewetted Bridgman crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.60.Cb; 02.60.Lj; 02.70.Dh; 68.08.−p; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Interfaces;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Numerical analysis of the influence of tilt of crucibles on interface shape and fields of temperature and velocity in the unidirectional solidification process

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 07.05.Tp; 44.40.+a; 81.10.Fq; 81.30.Fb; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Interfaces; A2. Growth from melt; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The effect of the pressure difference across the free surface on the static meniscus shape in the case of ribbon growth by edge-defined film-fed growth (E.F.G.) method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 07.05.Tp; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Stepanov method; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Phase field simulations of stress distributions in solidification structures

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.10.Jt; 62.20.Fe; 81.40.Lm; 46.15.−xA1. Stresses; A1. Computer simulation; A1. Phase field model; A1. Solidification; A1. Dendrites

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of acoustic streaming on the stability of melt flows in horizontal Bridgman configurations

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 47.20.Bp; 47.20.Ky; 43.25.Nm; A1. Computer simulation; A1. Convection; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Numerical studies on PACVD processes used for TiN multifunctional films using metal organic precursors

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 05.70.Np; 52.65.−y; 52.77.Dq; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A2. Growth from vapor; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of buoyancy and Marangoni forces on the dopant distribution in a single crystal fiber grown from the melt by edge-defined film-fed growth (EFG) method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.60.Cb; 02.60.Lj; 47.20.Bp; 47.20.Dr; 68.08.−p; 68.35.Dv; 71.20.Nr; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A2. Edge-defined film-fed growth; B1. Rare earth compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه