دانلود مقالات ISI درباره A1 شبیه سازی رایانهای + ترجمه فارسی

An asymptotic analysis for directional solidification of a diffusion-dominated binary system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.70.Dv; 02.30.Mv; 02.60.CbA1. Asymptotic analysis; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Directional solidification; A1. Microgravity; A1. Segregation; A2. Bridgman technique

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Modelling the effect of precipitation inhibitors on the crystallization process from well mixed over-saturated solutions in gypsum based on Langmuir-Volmer flux correction

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Solubility; A1. Supersaturated solution; A2. Growth from solutions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical study of induction heating and heat transfer in a real Czochralski system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 07.05.Tp; 02.70.Dh; 02.60.Cb; 44; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfers; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Facet formation and coarsening modeled by a geometric evolution law for epitaxial growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Roughening transition of an SOS model with elastic interactions

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 68.35.Rh; 68.35.Ct; 81.10.Aj; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Roughening; A1. Solidification; A1. Surface structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A framework for optimization of crystal growth processes applied to VGF growth of fluorides

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.10.Fq; 44.05.+e; A1. Computer simulation; A2. Gradient freeze technique; B1. Halide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Phase-field simulations of solidification in binary and ternary systems using a finite element method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.70.Dv; 81.10.Aj; 81.30.Fb; A1. Computer simulation; A1. Dendrites; A1. Eutectics; A1. Morphological stability; A1. Solidification; B1. Alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Drift-induced step instabilities due to the gap in the diffusion coefficient

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.10.Aj; 05.70.Ln; 47.20.Hw; 68.35.Fx; A1. Computer simulation; A1. Morphological stability; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Resistivity distribution in bulk growth of silicon single crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.75; 61.72.T; 02.70.D; 02.60; A1. Computer simulation; A1. Doping; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Step interaction on a 3D elastic substrate

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 68.35.-p; 68.35.Gy; 68.43.Fg; A1. Computer simulation; A1. Stresses; A1. Surface structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Drag on a ceramic particle being pushed by a metallic solidification front

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.60.Cb; 0.2.70.−c; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Solidification;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Phase field simulation of stress evolution during solidification

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.70.Dv; 81.10.Aj; 46.15.−x; A1. Computer simulation; A1. Phase field model; A1. Solidification; A1. Stresses;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of the shouldering angle on the shape of the solid-liquid interface and temperature fields in sillenite-type crystals growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 61.50.Ah; 68.45.−v; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 44.40.−a; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Interfaces; A1. Thermal radiation; A2. Czochralski method; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Phase field modeling of dendritic growth with high anisotropy

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.70.Dv; 81.30.Fb; 81.10.Aj; 05.70.Ln; A1. Anisotropy; A1. Computer simulation; A1. Dendrites; A1. Solidification;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A 3D parallel simulator for crystal growth and solidification in complex alloy systems

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.70.Dv; 81.10.Aj; 81.30.Fb; A1. Computer simulation; A1. Crystal structure; A1. Diffusion; A1. Growth model; A1. Solidification; B1. Alloy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A phase-field model for the solidification of multicomponent and multiphase alloys

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.10.Aj; 64.70.Dv; A1. Computer simulation; A1. Solidification; B1. Alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Numerical study of three-dimensional instabilities in a hydrodynamic model of Czochralski growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.10fq; 47.20-k; A1. Computer simulation; Fluid flows; Instabilities; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of thermal radiation and absorption in GaN-MOVPE growth modeling on temperature distribution and chemical state

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 82.20.Wt; 44.40.+a; 81.15.Kk; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nonlocal interface equations in crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 47.54.+r; 05.10.-a; 81.30.-t; 81.40.Jj; A1. Computer simulation; A1. Solidification; A1. Stresses; A1. Surfaces; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Correlations between the energetics of ZnCd nanoparticles and some of their corresponding bulk properties: molecular-dynamics simulations

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 36.40.−c; 61.46.+w; 81.07.−b; 83.10.Rs; A1. Computer simulation; A1. Nanostructures; B1. Cadmium compounds; B1. Nanomaterials; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Molecular dynamics study of homogeneous crystal nucleation in amorphous silicon

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 82.60.Nh; 02.70.Ns; 61.43.Dq; 82.65.Dp; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Molecular dynamics; A1. Nucleation; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Computational and experimental study of thermal fields in Czochralski garnet crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 47.27.Te; 81.10.Fq; 02.60.Cb; 64.70.Dv; 42.70.Hj; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A2. Microgravity conditions; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Parallel molecular dynamics simulation on thin-film formation process

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 61.46+w; 82.20.Wt; A1. Computer simulation; A1. Substrates; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Thin film;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Calcite crystallization on oxadiazole-terpyridine copolymer

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 61.50.Ah; 81.10.Dn; A1. Computer simulation; A1. Nucleation; A2. Growth from solutions; B1. Minerals;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The experimental-numerical investigation of instability of faceted Ge doped by Sb growth on the base of AHP method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.05.Cy; 81.10.Fq; 61.72.Ss; 64.70.Dv; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Crystal morphology; A2. Growth from melt; B1. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

LEC- and VGF-growth of SI GaAs single crystals-recent developments and current issues

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81; 81.05.Ea, 81.10.Fq, 81.30.Fb; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Segregation; A2. Gradient freeze technique; A2. Liquid encapsulated Czochralski method; B2. Semi-insulating gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Three-dimensional thermal stresses in on-axis grown SiC crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.60.Cb; 02.70.Dh; 46.25.Hf; A1. Computer simulation; A1. Stresses; A2. Growth from vapour;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Palladium nano-clusters on the MgO(1 0 0) surface: substrate-induced characteristics of morphology and atomic structure

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 68.47.Jn; 61.46.+w; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Nanostructures; B1. Metals; B2. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modeling of a space experiment on Bridgman solidification of concentrated semiconductor alloy

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.70.Dv; 07.05.Tp; A1. Computer simulation; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; A2. Microgravity conditions; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of concentrated GaInSb alloys with improved chemical homogeneity at low and variable pulling rates

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.70.Dv; 07.05.Tp; A1. Computer simulation; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting III-V materials.;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

An analysis of temperature distribution near the melt-crystal interface in silicon Czochralski growth with a transverse magnetic field

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 68.08.−p; 81.10.Dn; 47.27.Te; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Magnetic fields; A2. Magnetic field assisted Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modeling of industrial bulk crystal growth-state of the art and challenges

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.10.−h; 02.60.Cb; 02.60.Pn; 47.65.+a; A1. Computer simulation; A1. Magnetic fields; A2. Growth from melt; B1. Alloys; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the validity of boundary layer analysis for flow and mass transfer caused by rotation during the solution growth of large, single crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Fluid flows; A1. Growth from solutions; A1. Mass transfer; A1. Stirring;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The effect of nitrogen on void formation in Czochralski silicon crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 61.72.−y; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 61.82.Fk; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Volume defects; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Asymptotic solutions for a time-dependent, axisymmetric directional solidification system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 64.70.Dv; 02.30.Mv; 02.60.Cb; A1. Asymptotic analysis; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Directional solidification; A1. Segregation; A2. Bridgman technique;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Creation of perfect surfaces

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.70.−c; 41.50.+h; 42.79.−e; 52.77.−j; A1. Computer simulation; A1. Substrate; A1. Surface processes; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Marangoni flow in half-zone liquid bridge of molten tin under ramped temperature difference

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.70.Bf; 44.10.+i; 44.25.+f; 47.20.Dr; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Half-zone liquid bridge; A1. Heat transfer; A1. Marangoni flow; A1. Oscillatory flow; B1. Molten tin;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature distribution in an inductively heated CZ crucible

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.60.Cb; 02.70.Bf; 44.10.+i; 44.25.+f; 44.40.+a; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Combined ab initio quantum chemistry and computational fluid dynamics calculations for prediction of gallium nitride growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Analysis of the growth of cadmium zinc telluride in an electrodynamic gradient freeze furnace via a self-consistent, multi-scale numerical model

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.05.Dz; 81.10.Aj; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Heat transfer; A2. Bridgman technique; A2. Cadmium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thermal grain boundary grooving with anisotropic surface free energy in three dimensions

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Diffusion; A1. Interfaces; A1. Morphological stability; A1. Surfaces;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Anisotropy in growth kinetics at interfaces between proton-disordered hexagonal ice and water: A molecular dynamics study using the six-site model of H2O

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 71.15.D; 81.10.A; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A2. Growth from melt; B1. Ice;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of thick GaN layers with hydride vapour phase epitaxy

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 81.15.Gh; 81.40.Wx; 68.55.−a: 78.55.Cr; A1. Characterization; A1. Computer simulation; A1. Defects; A3. Chloride vapour phase deposition; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Numerical simulation of liquid phase electro-epitaxial selective area growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 68.55.Jk; 81.10.Aj; 81.15.Aa; 81.15.Lm; A1. Computer simulation; A1. Crystal Morphology; A1. Growth models; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Time-dependent, three-dimensional flow and mass transport during solution growth of potassium titanyl phosphate

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 02.60.Cb; 02.70.Dh; 47.11.+j; 81.10.Dn; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Fluid flows; A1. Growth from solutions; A1. Mass transfer; A1. Stirring;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Phase-field simulation during directional solidification of a binary alloy using adaptive finite element method

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 07.05.Tp; 81.30.Fb; 68.70; 68.35.J; 47.20.Hw; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Dendrites; A1. Directional solidification; A1. Interfaces; A1. Morphological stability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thermal convection in liquid bridges with curved free surfaces: Benchmark of numerical solutions

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; 47.11.+j; 47.20.Dr; 81.10.Fq; 83.50.-v; A1. Interfaces; A1. Computer simulation; A1. Convection; A2. Floating zone technique; A2. Microgravity conditions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه