دانلود مقالات ISI درباره A1 شبیه سازی رایانهای + ترجمه فارسی

Reduction of carbon contamination during the melting process of Czochralski silicon crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Hotzone design and optimization for 2-in. AlN PVT growth process through global heat transfer modeling and simulations

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Substrates; A2. Growth from vapor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Towards optimization of ACRT schedules applied to the gradient freeze growth of cadmium zinc telluride

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; B1. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Role of 2×1 surface reconstruction on Stranski-Krastanov growth illustrated using a modified solid-on-solid model

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer Simulation; A1. Roughening; A1. Stresses; A1. Surface Processes; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Monte Carlo simulation of the kinetic effects on GaAs/GaAs(001) MBE growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to novel behavior in semiconductor hetero-epitaxial growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Surface structures; A1. Adsorption behavior; A3. Molecular beam epitaxy; B2. InAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

3D modeling of doping from the atmosphere in floating zone silicon crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Doping; A1. Surface processes; A2. Floating zone technique; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Atomistic simulations of solidification process in B2-LiPb solid(0 0 1)-liquid system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Solidification; A1. Interfaces; A1. Point defect; A1. Computer simulation; A2. Growth from melt; B1. Alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

The transport phenomena during the growth of ZnTe crystal by the temperature gradient solution growth technique

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A2. Single crystal growth; A2. Growth from high temperature solutions; A1. Computer simulation; A1. Mass transfer; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Terahertz devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effects of convection patterns on freckle formation of directionally solidified Nickel-based superalloy casting with abruptly varying cross-sections

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Defects; A1. Directional solidification; A1. Fluid flows; A1. Computer simulation; A1. Convection;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Convection and macrosegregation in Al-19Cu alloy directionally solidified through an abrupt contraction in cross-section: A comparison with Al-7Si

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Cross-section decrease; A1. Directional solidification; A1. Segregation; B1. Aluminum alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

HVPE of aluminum nitride, film evaluation and multiscale modeling of the growth process

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Mass transfer; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition; A3. Hydride Vapor Phase Epitaxy; B1. Aluminum nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Li2MoO4 crystal growth from solution activated by low-frequency vibrations

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; B1. Lithium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Competition between crystalline and icosahedral order during crystal growth in bimetallic systems

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Crystal structure; A1. Surfaces; A2. Growth from melt; B1. Alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Three-dimensional computations of the hydrodynamics and mass transfer during solution growth of KDP crystal with a planetary motion

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Phosphates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 25 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Modeling the effect of crystal and crucible rotation on the interface shape in Czochralski growth of piezoelectric langatate crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Convection; A1. Computer simulation; A2. Czochralski; B2. Piezoelectric material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Global simulation of the induction heating TSSG process of SiC for the effects of Marangoni convection, free surface deformation and seed rotation

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A2. Top seeded solution growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 35 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Analysis of the effect of symmetric/asymmetric CUSP magnetic fields on melt/crystal interface during Czochralski silicon growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Turbulent convection A1. Magnetic fields A2. Czochralski method; B2. Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Numerical simulation of the oxygen concentration distribution in silicon melt for different crystal lengths during Czochralski growth with a transverse magnetic field

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Impurities; A1. Magnetic fields; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Surfactant antimony enhanced indium incorporation on InGaN (0001¯) surface: A DFT study

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Surfaces; B1. Nitrides; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Influence of peripheral vibrations and traveling magnetic fields on VGF growth of Sb-doped Ge crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A2. Single crystal growth; A1. Stirring; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Numerical analysis on the origin of thickness unevenness and formation of pits at GaN thin film grown by HVPE

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Scale up aspects of directional solidification and Czochralski silicon growth processes in traveling magnetic fields

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Directional solidification; A1. Stirring; B2. Semiconducting silicon; A2. Magnetic field assisted Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Comparison between numerical modeling and experimental measurements of the interface shape in Kyropoulos growth of Ti-doped sapphire crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A2. Single crystal growth; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Numerical study of liquid phase diffusion growth of SiGe subjected to accelerated crucible rotation

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A2. liquid phase diffusion; A1. computer simulation; B1. germanium silicon alloys; A2. accelerated crucible rotation technique

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Radial macrosegregation and dendrite clustering in directionally solidified Al-7Si and Al-19Cu alloys

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; Aluminum alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Modeling high speed growth of large rods of cesium iodide crystals by edge-defined film-fed growth (EFG)

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Shaped crystal growth; B1. Halides; B2. Scintillator materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Heterogeneous growth of calcite at aragonite {001}- and vaterite {001}-melt interfaces: A molecular dynamics simulation study

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A2. Growth from melt; B1. Minerals;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Macrosegregation in Al-7Si alloy caused by abrupt cross-section change during directional solidification

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Cross-section change; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Segregation; B1. Aluminum alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Synthesis, characterization and chemical stability of silicon dichalcogenides, Si(SexS1−x)2

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Characterization; A1. Computer simulation; A2. Growth from melt; B1. Sulfides; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effects of cluster size on calculation of activation energies of silicon surface reactions with H2 and HCl

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Growth models; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Simulation of the influence of gas flow on melt convection and phase boundaries in FZ silicon single crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Phase boundaries; A2. Floating zone technique; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Numerical investigation of carbon contamination during the melting process of Czochralski silicon crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Process optimization of deposition conditions of PbS thin films grown by a successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method using response surface methodology

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Growth from solutions; B1. Sulfides; B1. Semiconducting lead compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Influence of rotating magnetic fields on THM growth of CdZnTe crystals under microgravity and ground conditions

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Magnetic fields; A2. Traveling solvent zone growth; A2. Microgravity conditions; B1. Cadmium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Numerical investigation of multiple stationary and time-periodic flow regimes in vertical rotating disc CVD reactors

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A3. Chemical vapor deposition processes; Multiple fluid flows; Parameter continuation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Numerical examination of the effect of steady crucible rotation in the liquid phase diffusion growth of SiGe

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A2. Liquid phase diffusion; A1. Computer simulation; B1. Germanium silicon alloys; A2. Steady crucible rotation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth and kinetic Monte Carlo simulation of InAs quantum wires on vicinal substrates

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Nanostructures; A1. Electron microscopy; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Transport phenomena and the effects of reactor geometry for epitaxial GaN growth in a vertical MOCVD reactor

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Fluid flows; A3. Heat transfer; A4. Mass transfer; A5. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Influence of crucible and coil geometry on the induction heating process in Czochralski crystal growth system

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Czochralski method; Induction heating; Finite element method; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 31 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Adsorption of gallium on GaN(0001) surface in ammonia-rich conditions: A new effect associated with the Fermi level position

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Modelling of X-ray diffraction curves for GaN nanowires on Si(1 1 1)

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nanostructures; A1. Computer simulation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

KMC simulation of growth and equilibration of V-shaped patterned crystal surface via step motion

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Diffusion; A1. Low dimensional structures; A1. Nucleation; A2. Growth from vapor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

On mechanisms governing AlN and AlGaN growth rate and composition in large substrate size planetary MOVPE reactors

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. AlGaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Dislocation-density-based modeling of the plastic behavior of 4H-SiC single crystals using the Alexander-Haasen model

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Stresses; A2. Growth from vapor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

The phenomenon of “cold plume” instability in Czochralski hydrodynamic model: Physical and numerical simulation

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Numerical design of induction heating in the PVT growth of SiC crystal

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Substrate; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Anisotropic study of thermal stresses induced by diameter fluctuation during Czochralski silicon single crystal growth

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Stresses; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Optimization of power control in the reduction of basal plane dislocations during PVT growth of 4H-SiC single crystals

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Line defects; A1. Computer simulation; A2. Growth from vapor; A2. Industrial crystallization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Top-seeded solution growth of three-inch-diameter 4H-SiC using convection control technique

Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Morphological stability; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Top-seeded solution growth; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه