دانلود مقالات ISI درباره A1 رابط ها + ترجمه فارسی

Influence of MOVPE growth temperature on the structural and optical properties of InGaN MQW laser diodes

Keywords: A1 رابط ها; 81.15.Gh; 81.07.St; 42.55.Px; 68.37.Ps; 78.60.Hk; 78.55.Cr; A1. Characterization; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Numerical analysis of the influence of tilt of crucibles on interface shape and fields of temperature and velocity in the unidirectional solidification process

Keywords: A1 رابط ها; 07.05.Tp; 44.40.+a; 81.10.Fq; 81.30.Fb; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Interfaces; A2. Growth from melt; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of Zn pre-exposure temperature on the microstructures of ZnO films grown on Si(0 0 1) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 رابط ها; 39.10.+j; 61.10.Nz; 68.37.Lp; 78.66.HfA1. Characterization; A1. Interfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Numerical analysis of influence of crucible shape on interface shape in a unidirectional solidification process

Keywords: A1 رابط ها; 07.05.Tp; 44.40.+a; 81.10.Fq; 81.30.FbA1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Interfaces; A2. Growth from melt; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of crystal rotation rate on the melt–crystal interface of a CZ-Si crystal growth in a transverse magnetic field

Keywords: A1 رابط ها; 07.05.Tp; 68.08.−p; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Magnetic fields; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of (Al)GaAs/AlAs distributed Bragg mirrors grown by MBE and LP MOVPE techniques

Keywords: A1 رابط ها; 61.05.cm; 61.05.cp; 68.35.Ct; 81.15.Hi; 81.15.KkA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Roughening; A3. Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Global analysis of heat transfer in CZ crystal growth of oxide taking into account three-dimensional unsteady melt convection: Effect of meniscus shape

Keywords: A1 رابط ها; 44.40.+a; 47.11.+j; 47.27.Te; 81.10.Aj; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat Transfer; A1. Interfaces; A2. Czochralski method; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Impact of the H2 bake temperature on the structural properties of tensily strained Si layers on SiGe

Keywords: A1 رابط ها; 81.15.Gh; 61.72.Hf; 68.37.Ps; 68.55.JkA1. Surface structure; A1. Defects; A1. Interfaces; A3. Chemical vapour deposition processes; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Dendritic growth from a binary system in an external flow: Steady state solution with zero surface tension

Keywords: A1 رابط ها; 68.70.+w; 81.10.Aj; 81.30.FbA1. Binary system; A1. Convective flow; A1. Interfaces; A1. Steady state; A2. Dendritic growth; A2. Growth from melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Kinetic inhibitor effects on methane/propane clathrate hydrate-crystal growth at the gas/water and water/n-heptane interfaces

Keywords: A1 رابط ها; 81.10.AjA1. Crystal morphology; A1. Dendrites; A1. Interfaces; A2. Growth from solutions; B1. Gas hydrates

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Faceted interfaces in directional solidification

Keywords: A1 رابط ها; A1. Directional solidification; A1. Interfaces; A1. Anisotropy; A1. Faceting

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Controlled growth of aluminum oxide thin films on hydrogen terminated Si(0 0 1) surface

Keywords: A1 رابط ها; 68.35.Ct; 68.37.Lp; 68.47.Fg; 68.65.AcA1. AES; A1. AFM; A1. EELS; A1. HR-TEM; A1. Interfaces; A1. TEM; A2. Atomic layer deposition oxidation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Aluminum; B1. Oxides; B1. Silicon; B3. Heterojunctions semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Systematic theoretical investigations of compositional inhomogeneity in InxGa1−xN thin films on GaN(0 0 0 1)

Keywords: A1 رابط ها; 68.35.Dv; 81.05.Ea; 81.10.AjA1. Defects; A1. Interfaces; A1. Surfaces; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effective segregation coefficient in cluster crystallization model

Keywords: A1 رابط ها; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 61.46.Bc; 68.08.−p; 68.35.Dv; A1. Impurities; A1. Interfaces; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of MgO in ZnO films grown on nitrided sapphires

Keywords: A1 رابط ها; 81.05.Dz; 68.37.Lp; 68.55.−a; 81.15.HiA1. Characterization; A1. Defects; A1. Interfaces; A2. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Zn irradiation effects in MBE growth of MgSe/BeZnSeTe II-VI compound superlattices on InP substrates

Keywords: A1 رابط ها; 61.80.Lj; 68.65.Cd; 78.55.−m; 78.55.Et; 78.66.Hf; 78.67.Pt; 81.05.Dz; 81.15.Hi; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Morphology of interior interfaces in the novel dilute nitride Ga(NAsP)/GaP material system

Keywords: A1 رابط ها; 42.55.Px; 68.37.−d; 68.37.Ps; 68.65.−k; 78.55.Cr; 78.67.De; 81.15.Kk; A1. Atomic force microscopy; A1. Interfaces; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solid-state lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High-resolution electron microscopy of microstructure of SrTiO3/BaZrO3 bilayer thin films on MgO substrates

Keywords: A1 رابط ها; 68.37.Lp; 81.15.Cd; 68.35.CtA1. Characterization; A1. Interfaces; B1. Oxides; B1. Perovskites

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The effect of stirring on sodium chlorate crystallization under symmetry breaking conditions

Keywords: A1 رابط ها; 81.10.Dn; 64.60.Qb; 67.57.Pq; 02.70.RrA1. Crystal structure; A1. Impurities; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A2. Growth from solutions; B1. Salts

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Step bunching in crystal growth from solutions: Model of nonstationary diffusion layer, numerical simulation

Keywords: A1 رابط ها; 81.10−h; 81.10.Dn; 82.87.−d; 77.84.Fa; A1. Crystal morphology; A1. Interfaces; A2. Growth from solutions; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Thickness-dependent dielectric properties of nanoscale Pt/(Pb,Ba)ZrO3/BaPbO3 capacitors

Keywords: A1 رابط ها; 68.55.−a; 77.22.Ch; 77.55.+f; 81.15.CdA1. Crystal structure; A1. Diffusion; A1. Interfaces; B2. Ferroelectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Chemical solution deposition and transport properties of Ag-doped manganite films

Keywords: A1 رابط ها; 71.30.+h; 75.47.Gk; 81.15.LmA3. Chemical solution deposition; B1. Manganites; B2. Colossal magnetoresistance; A1. Growth models; A2. Seed layer; A1. Interfaces

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Partitioning of ionic species and crystallization electromotive force during the melt growth of LiNbO3 and Li2B4O7

Keywords: A1 رابط ها; 64.70.Dv; 73.50.Lw; 81.10.Fq; 81.30.Fb; 84.37.+q; 87.50.RrA1. Electric fields; A1. Interfaces; A2. Micro-pulling-down growth; B1. Borates; B1. Lithium compounds; B1. Niobates

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Misfit reduction by a spinel layer formed during the epitaxial growth of ZnO on sapphire using a MgO buffer layer

Keywords: A1 رابط ها; 61.72.Ff; 68.37.Lp; 68.37.−d; 81.15.Hi; 81.05.Dz; A1. Interfaces; A1. Transmission electron microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Interfacial chemistry and energy band line-up of pentacene with the GaN (0 0 0 1) surface

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystallization kinetics of the borax decahydrate

Keywords: A1 رابط ها; 81.10.Dn; 68.08.−P; A1. Interfaces; A2. Growth from solution; A2. Seed crystal; B1. Borates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Solid–liquid interfacial free energies of benzene

Keywords: A1 رابط ها; 81.10.Dn; 64.60.Qb; 64.10.++h; 64.60.MyA1. Broken bond model; A1. Crystal structure; A1. Entropy drop; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A2. Growth from melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Numerical study to investigate the effect of partition block and ambient air temperature on interfacial heat transfer in liquid bridges of high Prandtl number fluid

Keywords: A1 رابط ها; 68.03.−g; 68.03.Cd; 81.15.Mx; 81.70.HaA1. Heat transfer; A1. Interfaces; A1. Microgravity conditions; A2. Floating zone technique; A2. Growth from melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Formation energies and equilibrium configurations of dislocation arrays with alternating Burgers vectors in layered heterostructures

Keywords: A1 رابط ها; A1. Line defects; A1. Interfaces; A1. Stresses; A1. Dislocations; A1. Heterostructures; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and characterization of defect free GaAs nanowires

Keywords: A1 رابط ها; 61.50.A; 61.72; 81.05.E; 81.07A1. Defects; A1. Interfaces; A1. Nanostructures; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of oriented tricrystals of an Fe–Si alloy

Keywords: A1 رابط ها; 61.72.Mm; 64.75.+g; 81.05.Bx; 81.10.FqA1. Characterization; A1. Interfaces; A2. Floating zone technique; B1. Metals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of CaxBa1−xNb2O6 thin films on MgO(1 0 0) by pulsed laser deposition

Keywords: A1 رابط ها; 68.35.Fx; 81.15.Fg; 68.37.−d; A1. Characterization; A1. Interfaces; B1. Niobates; A3. Pulsed laser deposition (PLD);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Valence electron structure analysis of epitaxial growth of diamond (1 0 0) film on Si and c-BN substrate

Keywords: A1 رابط ها; 81.05.Uw; 68.55.−a; 68.49.Uv; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A2. Single crystal growth; A3. Heteroepitaxial growth; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of substrate dislocations on the Hg in-diffusion in CdZnTe substrates used for HgCdTe epilayer growth

Keywords: A1 رابط ها; 68.55.Ln; 61.72.Ff; 61.10; A1. Characterization; A1. Diffusion; A1. Etching; A1. Interfaces; B1. Liquid-phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thermal behavior and microstructure of the intermetallic compounds formed at the Sn–3Ag–0.5Cu/Cu interface after soldering and isothermal aging

Keywords: A1 رابط ها; 74.70.Ad; 61.66.Dk; 81.40.NpA1. Diffusion; A1. Eutectics; A1. Interfaces; A1. X-ray diffraction; B1. Alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

On the effects of furnace gradients on interface shape during the growth of cadmium zinc telluride in EDG furnaces

Keywords: A1 رابط ها; 81.05.Dz; 81.10.Aj; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Interfaces; A2. Bridgman technique; B1. Cadmium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dependence of the CaOx and MgOx growth rate on solution stoichiometry. Non-Kossel crystal growth

Keywords: A1 رابط ها; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 68.45.DaA1. Atomic force microscopy; A1. Biomaterials; A1. Growth models; A1. Interfaces; A2. Growth from solutions; B1. Calcium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Crystal morphology evolution in film growth: A general approach

Keywords: A1 رابط ها; 81.10.Aj; 81.15.AaA1. Crystal morphology; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Interfaces; A3. Metalorganic chemical vapor deposition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Study of the mechanism of crystallization electromotive force during growth of congruent LiNbO3 using a micro-pulling-down method

Keywords: A1 رابط ها; 64.70.Dv; 73.50.Lw; 81.10.Fq; 81.30.Fb; 84.37.+q; 87.50.RrA1. Electric fields; A1. Interfaces; A2. Growth from melt; A2. Micro-pulling-down growth; B1. Lithium compounds; B1. Niobates; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of a premelted film on the dynamics of particle–solidification front interactions

Keywords: A1 رابط ها; 02.60.Cb; 02.70.–cA1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Interfaces; A1. Particle; A1. Premelting; A1. Solidification

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of (Ga,Al)AsSb alloys on InP(0 0 1) substrates

Keywords: A1 رابط ها; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.14.Hg; 71.20.Nr; 68.35.Fx; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonide; B2. Semiconductor III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Measurement of the interface tension of immiscible liquids interface

Keywords: A1 رابط ها; 05.70.Np; 68.03.Cd; 68.05.−n; A1. Interfaces; A1. Surfaces; A2. Liquid encapsulated Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thermal properties of GaN/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 رابط ها; 81.15.Hi; 78.66.Fd; 68.55.Jk; 67.80.Gb; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Correlation between nucleation, morphology and residual strain of InN grown on Ga-face GaN (0 0 0 1)

Keywords: A1 رابط ها; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.55.−a; 68.37.Lp; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of the shouldering angle on the shape of the solid-liquid interface and temperature fields in sillenite-type crystals growth

Keywords: A1 رابط ها; 61.50.Ah; 68.45.−v; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 44.40.−a; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Interfaces; A1. Thermal radiation; A2. Czochralski method; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Heterostructures of BaTiO3 bilayer films grown on SrTiO3 (0 0 1) under different oxygen pressures

Keywords: A1 رابط ها; 74.62.Fj; 75.70.Kw; 68.55.Jk; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A3. Pulsed laser deposition (PLD); B1. Perovskites;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Melt entrapment during growth of crystal layer with nonplanar interface and diffusive transport of captured impurities out of layer pores

Keywords: A1 رابط ها; 81.10.Fq; 61.72.Ss; 47.20.Hw; A1. Crystal structure; A1. Diffusion; A1. Impurities; A1. Interfaces; A1. Purification; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Diamond growth on faceted sapphire and the charged cluster model

Keywords: A1 رابط ها; 81.10.Aj; 81.15.Aa; A1. Characterization; A1. Growth models; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A1. Substrates; A3. Chemical vapour deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Regrowth mechanisms in flash lamp processing of heteroepitaxial SiC on silicon substrates

Keywords: A1 رابط ها; 68.35.Fx; 81.15.Lm; A1. Crystal morphology; A1. Diffusion; A1. Interfaces; A1. Mass transfer; A3. Liquid phase epitaxy; B. Silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Epitaxial film growth of zirconium diboride on Si(0 0 1)

Keywords: A1 رابط ها; 81.15.Hi; 68.55.−a; 68.35.−p; A1. Interfaces; A1. Substrates; A1. Surfaces; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه