دانلود مقالات ISI درباره A1 رابط ها + ترجمه فارسی

Improved electron transport properties of InSb quantum well structure using stepped buffer layer for strain reduction

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Orientation relationships of copper crystals on sapphire (1 0 1̄ 0) m-plane and (1 0 1̄ 2) r-plane substrates

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A1. Orientation relationship; A1. Electron backscatter diffraction; A3. Solid phase epitaxy; A3 Polycrystalline deposition; B1 Sapphire;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Fabrication of free-standing GaN by using thermal decomposition of GaN

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Reduction of threading dislocations in N-polar GaN using a pseudomorphicaly grown graded-Al-fraction AlGaN interlayer

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Influence of barrier growth schemes on the structural properties and thresholds of InGaN quantum well laser diodes

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

System design and hot zone optimization of monocrystalline silicon directional solidification furnace for PV application

Keywords: A1 رابط ها; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Flow pattern; A1. Interfaces; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

High resolution study of structural and electronic properties of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001)

Keywords: A1 رابط ها; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A1. Interfaces; A1. Surface structure; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Interface layer control and optimization of InAs/GaSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A3. Migration-enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. InAs/GaSb superlattices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Thin interface analysis of a phase-field model for epitaxial growth with nucleation and Ehrlich–Schwoebel effects

Keywords: A1 رابط ها; A1. Computer simulation; A1. Nucleation; A1. Growth models; A1. Interfaces; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Ge cages at the SiC/graphene interface: A first principles calculation

Keywords: A1 رابط ها; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Surface structure; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of Fe islands on LaAlO3 (001) substrates

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A1. Nanostructures; B1. Perovskites; B1. Oxides; B1. Metals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Morphology study of methane-propane clathrate hydrates on the bubble surface in the presence of SDS or PVCap

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A2. Gas hydrate; B1. SDS; B1. Kinetic inhibitor; B1. PVCap;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Compositional grading in GaAsSb grown on GaAs substrates

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A1 Surfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Onset of plastic relaxation in semipolar (112¯2) InxGa1−xN/GaN heterostructures

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A1. Line defects; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Texture and morphology of ZnO grown on nanocrystalline p-sexiphenyl thin films

Keywords: A1 رابط ها; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Organic compounds; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 29 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

On the structural properties of MgS-rich II–VI-based microcavities

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Sulfides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The effect of interfacial kinetics on the morphological stability of a spherical particle

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A1. Crystal morphology; A1. Morphological stability; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Microstructure evolution in Cu–1.54 wt% Cr alloy during directional solidification

Keywords: A1 رابط ها; A1. Directional solidification; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A2. Bridgman technique; B1. Cu–Cr alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characterization of partially ordered GaInP/GaAs heterointerfaces by the quantum Hall effect

Keywords: A1 رابط ها; A1. Characterization; A1. Interfaces; A3. Low press. metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum Hall effect; B1. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

From conformal overgrowth to lateral growth of indium arsenide nano structures on silicon substrates by MOVPE

Keywords: A1 رابط ها; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A1. Nanostructures; A3. Low press. metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High power (>5 W) λ∼9.6 μm tapered quantum cascade lasers grown by OMVPE

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Quantum cascade lasers; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MOVPE growth of Al0.85Ga0.15As for high power laser diodes emitting at 808 nm

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A3. Metallorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Transient growth of solid nuclei in the liquid - A numerical study on early stages of solidification

Keywords: A1 رابط ها; A1. Growth models; A1. Solidification; A1. Interfaces; A1. Non-equilibrium thermodynamics; A1. Nucleus growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Calculation of solid–liquid interfacial free energy of Cu by two different methods

Keywords: A1 رابط ها; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Nucleation; B1. Metals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Single femtosecond laser pulse-single crystal formation of glycine at the solution surface

Keywords: A1 رابط ها; A1. Crystal morphology; A1. Interfaces; A1. Single crystal; A1.Femtosecond laser; B1.Glycine

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Analysis of W-shape melt/crystal interface formation in Czochralski silicon crystal growth

Keywords: A1 رابط ها; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Stresses; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Calculation of crystal-melt interfacial free energies of fcc metals

Keywords: A1 رابط ها; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A1. Growth from melt; B1. Metals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN

Keywords: A1 رابط ها; A1. Crystal morphology; A1. Interfaces; A1. Roughening; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Solid–liquid interfacial energy of neopentylglycol solid solution in equilibrium with succinonitrile-neopentylglycol-aminomethylpropanediol liquid

Keywords: A1 رابط ها; A1. Eutectics; A1. Interfaces; A1. Phase Equilibria; B1. Organic Compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Estimation of solidification interface shapes in a boron-phosphorus compensated multicrystalline silicon ingot via photoluminescence imaging

Keywords: A1 رابط ها; A1. Band-to-band photoluminescence; A1. Charaterization; A1. Direction solidification; A1. Doping; A1. Interfaces;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Surface morphology and bond characterization of nanocrystalline diamonds grown on tungsten carbide via hot filament chemical vapor deposition

Keywords: A1 رابط ها; A1. Crystal Morphology; A1. Interfaces; B1. Diamond; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of LaAlO3 on SrTiO3-buffered Si (001) substrates by atomic layer deposition

Keywords: A1 رابط ها; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Atomic layer deposition; B1. Aluminates

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth mechanisms in semipolar (202¯1) and nonpolar m  -plane (101¯0) AlGaN/GaN structures grown by PAMBE under N-rich conditions

Keywords: A1 رابط ها; A1. Desorption; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Imaging transport phenomena during lysozyme protein crystal growth by the hanging drop technique

Keywords: A1 رابط ها; A1. Characterization; A1. Diffusion; A1. interfaces; A1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; B1. Lysozyme; B1. Proteins

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Float-Zone silicon crystal growth at reduced RF frequencies

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Controlled formation of GaAs pn junctions during hydride vapor phase epitaxy of GaAs

Keywords: A1 رابط ها; A1. Doping; A1. Impurities; A1. Interfaces; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Study on influence of growth conditions on position and shape of crystal/melt interface of alkali lead halide crystals at Bridgman growth

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A1. Morphological stability; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B1. Halides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A1 رابط ها; A1. Low dimensional structures; A1. Interfaces; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Deposition of nanometric double layers Ru/Au, Ru/Pd, and Pd/Au onto CdZnTe by the electroless method

Keywords: A1 رابط ها; A1. Characterisation; A1. Nanostructures; A1. Interfaces; A1. Surface processes; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural and magnetic properties of Ni2MnIn Heusler thin films grown on modulation-doped InAs heterostructures with metamorphic buffer

Keywords: A1 رابط ها; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Precise structure control of GaAs/InGaP hetero-interfaces using metal organic vapor phase epitaxy and its abruptness analyzed by STEM

Keywords: A1 رابط ها; A1. Growth models; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Adhesion of single crystals on modified surfaces in crystallization fouling

Keywords: A1 رابط ها; A1. Characterization; A1. Heat transfer; A1. Interfaces; A1. Surfaces; B1. Calcium compounds; B1. Metals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural features of epitaxial NiFe2O4 thin films grown on different substrates by direct liquid injection chemical vapor deposition

Keywords: A1 رابط ها; A1. Defects; A1. Interfaces; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Solid–liquid interfacial energy of neopentylglycol solid solution in equilibrium with neopentylglycol–(D) camphor eutectic liquid

Keywords: A1 رابط ها; A1. Phase Equibliria; A1. Interfaces; A1. Eutectics; B1. Organic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effects of cusp-shaped magnetic field on melt convection and oxygen transport in an industrial CZ-Si crystal growth

Keywords: A1 رابط ها; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Impurities; A1. Interfaces; A2. Magnetic field assisted Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

A numerical model study of the effect of interface shape on particle pushing

Keywords: A1 رابط ها; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Segregation; A1. Solidification;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Synthesis and microstructural properties of ZnO nanorods on Ti-buffer layers

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of the diameter of rutile (TiO2) single crystals grown using tilting-mirror-type infrared heating image furnace on solid–liquid interface and etch pit density

Keywords: A1 رابط ها; A1. Etching; A1. Interfaces; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B1. Oxide; B1. Titanium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A1. Low dimensional structures; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of Si1−xGex bulk crystals with highly homogeneous composition for thermoelectric applications

Keywords: A1 رابط ها; A1. Interfaces; A1. Supersaturated solutions; A2. Growth from solutions; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه