دانلود مقالات ISI درباره A1 ساختار سطح + ترجمه فارسی

Zipping process on the step bunching in the vicinal surface of the restricted solid-on-solid model with the step attraction of the point contact type

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A1. Phase equilibria; A1. Step bunching; A1. Vicinal surface; A1. Surface free energy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Nanoimprint lithography patterned GaAs templates for site-controlled InAs quantum dots

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Nanostructures; A1. Low dimensional structures; A1. Surface structure; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Composition uniformity of site-controlled InAs/GaAs quantum dots

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Characterization; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Nano-clustered Pd catalysts formed on GaN surface for green chemistry

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Surface structure; B1. Catalysts; B1. Gallium compounds; B1. Heck reaction; B1. Nitrides; B1. Palladium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Crystal growth and physical properties of β-NaxV2O5 bronze

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Crystal morphology; A1. Surface structure; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Oxides vanadium bronzes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Variation in Si(1 0 0) surface roughness caused by H-termination during high-temperature Ar annealing

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Surface structure; A1. Atomic force microscopy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The crossover of preferred orientation in heteroepitaxial ZnO/MgO(0 0 1) films

Keywords: A1 ساختار سطح; B1. Zinc compounds; A3. RF sputtering; A1. X-ray diffraction; A1. Surface structure; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Stability of hydrogen on nonpolar and semipolar nitride surfaces: Role of surface orientation

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Controlled growth of InP/In0.48Ga0.52P quantum dots on GaAs substrate

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth and characterization of C60/GaAs interfaces and C60 doped GaAs

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Doping; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Fullerenes; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Surface preparation of Si(1 0 0) by thermal oxide removal in a chemical vapor environment

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Si(1 0 0) surface; A1. Surface structure; A1. X-ray photoelectron spectroscopy; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hydrogen annealing; A3. Vapor phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High quality InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire by pulsed metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Surface structure; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The effect of surface charge and KNO3 additive on the crystallization of potassium chloride

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Additive; A1. Dendrites; A1. Surface structure; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Potassium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Polyhedral to nearly spherical morphology transformation of silver microcrystals grown from vapor phase

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Crystal morphology; A1. Roughening; A1. Surface structure; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Precipitation and growth of magnesium hydroxide nanopetals on zeolite 4A surfaces

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A1. Supersaturated solutions; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The effects of varying metal precursor fluxes on the growth of InAlN by metal organic vapour phase epitaxy

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Atomic force microscopy; A1. Surface structure; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Anisotropy effects during non-selective epitaxial growth of Si and SiGe materials

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Chrystal morphology; A1. Surface structure; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Non-selective morphology; B1. Silicon; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optimizing dopant activation in Si:P double δ-layersδ-layers

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. δ-dopingδ-doping; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Understanding the cubic AlN growth plane from first principles

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Growth models; A1. Surface structure; A1. Computer simulation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Development of a multiscale model for an atomic layer deposition process

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Surface structure; A3. Atomic layer epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication of nano-crystalline silicon thin film at low temperature by using a neutral beam deposition method

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Surface structure; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Polycrystalline deposition; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication and microstructure of Cu2O nanocubes

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Characterization; A1. Surface structure; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Single crystal growth of InBi1−xSex by syringe pulling method

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Etching; A1. Surface structure; A2. Growth from melt; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting III–V material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Surface morphology evolution during sputter deposition of thin films – lattice Monte Carlo simulations

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Computer simulation; A1. Diffusion; A1. Nucleation; A1. Roughening; A1. Surface structure; A3. Physical vapor deposition process

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Atmospheric pressure chemical vapour deposition of electrochromic Mo-W thin oxide films: Structural, optoelectronic and vibration properties

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Surface structure; A3. Chemical vapour deposition processes; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Variation of crystallization mechanisms in flash-lamp-irradiated amorphous silicon films

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Recrystallization; A1. Surface structure; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Investigation on rapid growth of 4-N,N-dimethylamino-4′-N′-methylstilbazolium p-toluenesulphonate (DAST) crystals by SNM technique

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Surface structure; A2. Growth from solutions; B2. Nonlinear optical materials; B3. Terahertz technology;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

In situ reflectance monitoring for the MOVPE of strain-balanced InGaAs/GaAsP quantum-wells

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium arsenic; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Stabilities of crystal faces of anhydrite (CaSO4) compared by AFM observation of facet formation processes in aqueous solutions

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Atomic force microscopy; A1. Crystal morphology; A1. Surface structure; B1. Calcium compounds; B1. Minerals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Optimization of MBE-grown GaSb buffer layers and surface effects of antimony stabilization flux

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Defects; A1. Surface structure; A3. Superlattices; A3. Antimonides; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; 81.05.Ea; 68.35.Dv; 68.37.−d; 68.60.−p; 68.65.Cd; 81.15.Hi; 71.55.Eq; 81.15.Ef;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Some physical investigations on ZnS1−xSex films obtained by selenization of ZnS sprayed films using the Boubaker polynomials expansion scheme

Keywords: A1 ساختار سطح; 61.10.NZ; 68.37.HK; 85.55.JK; 79.60.DPA1. X-ray diffraction; A1. Phtothermal protocol; A1. Boubaker polynomials expansion scheme; A1. Surface structure; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Selective epitaxial growth of Ge(1 1 0) in trenches using the aspect ratio trapping technique

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Defects; A1. Stresses; A1. Surface structure; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Relation between etch-pit morphology and step retreat velocity on a calcite surface in aspartic acid solution

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Atomic force microscopy; A1. Etching; A1. Surface structure; B1. Calcium compounds; B1. Minerals; B1. Organic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Impact of the H2 anneal on the structural and optical properties of thin and thick Ge layers on Si; Low temperature surface passivation of Ge by Si

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Surface structure; A1. Volume defects; A1. Diffusion; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Improving size distribution of InAs quantum dots for intersubband devices

Keywords: A1 ساختار سطح; 81.07.Ta; 68.55.ag; 81.15.Hi; 81.16.Dn; 73.21.La; 78.67.Hc; A1. Low-dimensional structures; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenates; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to structural change of compound semiconductor surfaces during MBE growth

Keywords: A1 ساختار سطح; 31.15.AR; 68.35.MD; 68.47.Fg; 81.05.Ea; A1. Phase diagrams; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

An ab initio-based approach to the stability of GaN(0 0 0 1) surfaces under Ga-rich conditions

Keywords: A1 ساختار سطح; 31.15.AR; 68.35.MD; 68.47.Fg; 81.05.EaA1. Phase diagrams; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

{1 0 0} and {1 1 1} forms of the NaCl crystals coexisting in growth from pure aqueous solution

Keywords: A1 ساختار سطح; 64.70.Kp; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 68.35.CtA1. Crystal morphology; A1. Surface structure; A2. Growth from solutions; B1. Sodium chloride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Selective area growth of GaN nanorods on patterned W/SiO2/Si substrates by RF-MBE

Keywords: A1 ساختار سطح; 68.37.Xy; 81.05.Ea; 81.07.−b; 81.15.HiA1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

As-rich reconstruction stability observed by high temperature scanning tunnelling microscopy

Keywords: A1 ساختار سطح; 68.35.B−A1. Scanning tunnelling microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; A1. Surface structure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Polymorphology formation of Cu2O: A microscopic understanding of single crystal growth from both thermodynamic and kinetic models

Keywords: A1 ساختار سطح; 81.05.Hd; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 81.16.BeA1. Crystal morphology; A1. Surface structure; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of pulsed laser deposition rate on the microstructure and thermoelectric properties of Ca3Co4O9 thin films

Keywords: A1 ساختار سطح; 61.05.cp; 68.37.Ps; 72.80.Ga; 73.50.LwA1. Atomic force microscopy; A1. Surface structure; A1. X-ray diffraction; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Formation of Ge nanoislands before the completion of a wetting layer in the Ge/Si(1 1 1) system

Keywords: A1 ساختار سطح; 63.22.Kn; 68.37.Ef; 81.07.Bc; 81.15.Hi; A1. Low-dimensional structures; A1. Stresses; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Investigation of heavily nitrogen-doped n+ 4H–SiC crystals grown by physical vapor transport

Keywords: A1 ساختار سطح; 81.05.Hd; 81.10.Bk; 61.72.S−; 61.72.Nn; 61.72.CcA1. Defects; A1. Doping; A1. Surface structure; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of thin epitaxial Co3O4(111) films

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Interface structure; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Spinel; B1. Oxide film growth; 68.37.−d; 68.35.Ct; 68.37.Og; 68.37.Ps; 68.55.−a; 75.50.Ee;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Dissolution–precipitation recrystallization of miscut crystal surfaces under stress

Keywords: A1 ساختار سطح; 68.35.Md; 68.35.Ja; 81.10.JtA1. Optical microscopy; A1. Morphological stability; A1. Recrystallization; A1. Roughening; A1. Stresses; A1. Surface structure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A diffusionless transition in a normal alkane

Keywords: A1 ساختار سطح; 61.05.cp; 64.70.kt; 68.35.Gy; 81.30.kfA1. Atomic force microscopy; A1. Phase diagrams; A1. Surface structure; A1. Twinning; A1. X-ray diffraction; B1. Alkanes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Precipitation of nanostructured calcite in a controlled multiphase process

Keywords: A1 ساختار سطح; 61.46.HkA1. Crystal morphology; A1. Crystallites; A1. Nanostructured material; A1. Surface structure; A2. Gas–liquid precipitation; B1. Calcium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and structural properties of SiGe virtual substrates on Si(1 0 0), (1 1 0) and (1 1 1)

Keywords: A1 ساختار سطح; 81.15.Gh; 68.55.−a; A1. Defects; A1. Crystal morphology; A1. Surface structure; A1. Substrates; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of Mo3Si single crystal

Keywords: A1 ساختار سطح; A1. Characterization; A1. Crystal Structure; A1. Surface Structure; A2. Floating Zone Technique; B1. Alloys; B1. Metals;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه