![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Full ALD Ta2O5-based stacks for resistive random access memory grown with in vacuo XPS monitoring
Keywords: رسوب لایه اتمی; In vacuo XPS; Atomic layer deposition; Ta2O5; ReRAM; Interface engineering;