![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Sulfur passivation for the formation of Si-terminated Al2O3/SiGe(0Â 0Â 1) interfaces
Keywords: رسوب لایه اتمی; Silicon-germanium; Sulfur passivation; Atomic layer deposition; Aluminum oxide;