کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035693 | 1518054 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Excellent passivation and low reflectivity with atomic layer deposited bilayer coatings for n-type silicon solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Bilayer coatings deposited by atomic layer deposition are shown to simultaneously achieve excellent passivation and low reflectivity, suitable for application on the front side of high-performance n-type Si solar cells. We designed and fabricated bilayer coatings of 10 nm Al2O3 followed by a top layer of either 50.5 nm TiO2 or 52.5 nm ZnS. The bilayers have absolute reflectivity nearly 2% lower than state-of-the-art silicon nitride anti-reflection coatings. They passivate both highly doped p-type emitter surfaces and also low-doped p-type Si. For a B-doped emitter with sheet resistance of 159 Ω/sq on n-type Si, the Al2O3/TiO2 coating has a low emitter saturation current density J0,e of 38 fA/cm2, while Al2O3/ZnS has 52 fA/cm2. On low-doped p-type Si wafers, passivation using either coating resulted in minority carrier lifetimes above 1 ms, corresponding to surface recombination velocities below 10 cm/s.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 550, 1 January 2014, Pages 541-544
Journal: Thin Solid Films - Volume 550, 1 January 2014, Pages 541-544
نویسندگان
Benjamin G. Lee, Shuo Li, Guillaume von Gastrow, Marko Yli-Koski, Hele Savin, Ville Malinen, Jarmo Skarp, Sukgeun Choi, Howard M. Branz,