دانلود مقالات ISI درباره B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم + ترجمه فارسی

Triggered luminescence in a strained Si1−xGex/Si single quantum well with surface as an electron reservoir

Keywords: B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم; 73.20.Jc; 78.55.Ap; 78.66.Db; A3. Quantum wells; B1. Germanium silicon alloys; B3. Triggered luminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Numerical study of the development of cellular structure during the Czochralski growth of GeSi bulk crystals

Keywords: B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم; 67.70.Dv; 81.10.Aj; 44.25.+f; A1. Directional solidification; A1. Fluid flows; A1. Growth models; B1. Germanium Silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy

Keywords: B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم; 81.15.Hi; 68.55.Ln; 85.30.Pq; 82.80.Ms; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon; B3. Bipolar transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

SiGe quantum cascade structures for light emitting devices

Keywords: B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم; 81.15.Hj; 85.60.Jb; 62.10.Dc; 62.25.+g; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

GSMBE growth and structural characterisation of SiGeC layers for HBT

Keywords: B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم; 81.15.Hj; 60.10.Kw; 60.10.Kz; 85.30.Pq; A2. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystallization of SiGe bulk crystal

Keywords: B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم; 81.10.Dn; 81.10.−h; A1. Nucleation; A1. Substrates; A2. Growth from melt; A2. Seed crystals; A2. Single crystal growth; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thin relaxed SiGe virtual substrates grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition

Keywords: B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم; 81.15.Gh; 61.72.Ff; 72.20.Fr; 73.21.Fg; 73.63.Hs; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Germanium silicon alloys; B3. Modulation-doped quantum wells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth on microscale patterned silicon structures

Keywords: B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم; A1. Characterization; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Heterostructures GexSi1−x/Si(0 0 1) grown by low-temperature (300-400 °C) molecular beam epitaxy: Misfit dislocation propagation

Keywords: B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیوم; 61.72.Cc; 81.05.Cy; 81.15.Hi; A1. Misfit dislocations; A1. Threading dislocations; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه