آشنایی با موضوع

اپیتاکسی پرتو مولکولی یک روش اپتیکسی برای رسوب کریستالهای نازک است. این در اواخر دهه 1960 در آزمایشگاه Bell Telephone توسط J. R. Arthur و Alfred Y. Cho اختراع شد. MBE یا همان اپیتاکسی پرتو مولکولی به طور گسترده ای در تولید دستگاه های نیمه هادی، از جمله ترانزیستورها استفاده می شود و یکی از ابزارهای اساسی توسعه فناوری های نانو است. اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی در خلاء بالا یا خلاء بسیار بالا (10 تا 10-10-12 ترور) رخ می دهد. مهمترین جنبه MBE، میزان رسوب (معمولا کمتر از 3000 نانومتر در ساعت) است که اجازه می دهد فیلم ها به صورت اپیتاکسالی رشد کنند. این میزان رسوب نیاز به یک خلاء بهتر برای رسیدن به سطوح ناخالصی مشابه سایر تکنیک های رسوب گذاری دارد. عدم وجود گاز حامل و همچنین محیط خلاء فوق العاده بالا منجر به بالاترین درجه خلوص دست یافتنی از فیلم های رشد کرده می شود.
در این صفحه تعداد 1532 مقاله تخصصی درباره اپیتاکسی پرتو مولکولی که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید.
در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.
مقالات ISI اپیتاکسی پرتو مولکولی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.