کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10248758 | 49323 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal-oxide-based hole-selective tunneling contacts for crystalline silicon solar cells
ترجمه فارسی عنوان
تماسهای تونلی بر پایه سوراخ فلز بر اساس فلزات اکسید برای سلولهای خورشیدی سیلیکون بلورین
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
BSFICP-CVDSRVPVDTCOALD - آدرنولکودیستروفیHIT - اصابتTransparent conductive oxide - اکسید رسانای شفافZnO - اکسید رویMetal oxides - اکسید فلزیSpectroscopic ellipsometry - بیضه سنجی طیف سنجیTunneling - تونلینگc-Si - ج-سیPhysical Vapor Deposition - رسوب فیزیکی بخارAtomic layer deposition - رسوب لایه اتمیPassivation - رویینگی، پسیواسیونBack surface field - زمینه بازگشت زمینSurface recombination velocity - سرعت بازسازی سطحhydrogenated amorphous silicon - سیلیکون آمورف هیدروژنه شدهCrystalline silicon - سیلیکون بلورینX-ray photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتر اشعه ایکسXPS - طیف نگاری فوتوالکترونی اشعه ایکسSilicon heterojunction - ناهمگونی سیلیکونheterojunctions - هتجربه هاa-Si:H - یک سی: H
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
چکیده انگلیسی
The goal of this work is to investigate selective hole contacts for crystalline silicon solar cells that are highly transparent, passivate the silicon surface and have low contact resistance. Stacks of Al2O3 and ZnO films are suggested for this purpose. The charge transport mechanism through these stacks is tunneling recombination and it is shown that such stacks can achieve a contact resistance of â¼1.5 Ω cm2 for an Al2O3 thickness of 1 nm. Furthermore, it is demonstrated that the surface passivation of such stacks can be greatly improved by the insertion of a 3 nm film of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) between the Al2O3 and the crystalline silicon, achieving an effective surface recombination velocity of â¼20 cm/s. The stacks with an a-Si:H layer achieve a contact resistance of â¼5 Ω cm2. Furthermore, from applying the theory of tunnel diodes to the charge transport through the contact, three important elements have been identified for the reduction of the contact resistance: the negative fixed charge density in the Al2O3; the doping concentration in the ZnO; and the dielectric properties of the Al2O3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 120, Part A, January 2014, Pages 376-382
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 120, Part A, January 2014, Pages 376-382
نویسندگان
S. Smit, D. Garcia-Alonso, S. Bordihn, M.S. Hanssen, W.M.M. Kessels,