Utilization of the sum rule for construction of advanced dispersion model of crystalline silicon containing interstitial oxygen

توزیع قدرت کلی انتقال، یعنی سمت راست شکل انتگرال توافق توماس رایش کوهن، به فرآیندهای جذب فردی برای سیلیکون کریستالی حاوی اکسیژن بینابینی توصیف می شود. استفاده از قاعده مجموع اجازه می دهد تا ساخت یک مدل پراکندگی را پوشش همه تحرک ابتدایی از جذب فونون به تحریک الکترون الکترونیک. وابستگی قدرت انتقال انرژی های فردی و فونون بر محتویات دما و اکسیژن شرح داده شده است.